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荣垂才

作品数:11 被引量:22H指数:3
供职机构:赣南师范大学物理与电子信息学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金江西省自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目更多>>
相关领域:理学机械工程核科学技术轻工技术与工程更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇理学
  • 4篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 7篇光子
  • 6篇时域有限
  • 6篇时域有限差分
  • 6篇时域有限差分...
  • 6篇晶体
  • 6篇光子晶体
  • 3篇二维光子
  • 2篇缺陷模
  • 2篇光子晶体带隙
  • 1篇带通
  • 1篇带通滤波
  • 1篇带通滤波器
  • 1篇带隙
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇低压化学气相...
  • 1篇电场
  • 1篇电场仿真
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁辐射

机构

  • 8篇赣南师范大学
  • 5篇曲阜师范大学
  • 3篇临沂师范学院
  • 1篇巢湖学院
  • 1篇中国科学院
  • 1篇赣州市人民医...
  • 1篇中国计量大学

作者

  • 11篇荣垂才
  • 4篇闫珂柱
  • 4篇宁学峰
  • 2篇袁寿财
  • 2篇王兴权
  • 1篇石宗华
  • 1篇王瑄
  • 1篇谢应茂
  • 1篇许明坤
  • 1篇武华
  • 1篇陈维
  • 1篇韩建强
  • 1篇苑桂玲
  • 1篇王艳玲
  • 1篇王聪玲
  • 1篇谢燕辉
  • 1篇宋加兴

传媒

  • 3篇赣南师范大学...
  • 2篇激光技术
  • 2篇量子光学学报
  • 1篇光谱实验室
  • 1篇上海纺织科技
  • 1篇激光杂志

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2011
  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2006
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
光子禁带型遮阳品的设计
2011年
为了屏蔽紫外线,提出光子禁带型遮阳品,分别用传输矩阵、时域有限差分法计算紫外线在1维、2维光子禁带型遮阳品中的透射率。结果表明,选取合适的参量,可以设计紫外线的1维、2维光子禁带遮阳品;入射角对1维、2维遮阳品的禁带波长下限都有较大影响。
荣垂才宋加兴
关键词:光子禁带紫外线传输矩阵时域有限差分法
基于DGS的电磁交叉耦合微波带通滤波器
2023年
基于混合电磁交叉耦合理论,引入缺陷地结构,采用内折叠微带开口环谐振器,设计了一款通带为3.2~3.5 GHz的微带带通滤波器.经测试,通带内S_(21)≥-3.1 dB,S_(11)≤-15 dB,群时延1.4 ns~1.88 ns,滤波器整体尺寸为24.0 mm×19.2 mm.
徐贇张梦璐荣垂才孙鑫营
关键词:带通滤波器缺陷地结构
不同单元结构光子晶体的带隙分析被引量:3
2007年
用时域有限差分法数值模拟了电磁波在二维光子晶体的传播,计算结果表明:填充率存在一个最佳值,使光子晶体带隙宽度最大,而带隙中心频率随填充率的增大而向低频移动;介质柱的横截面的形状是影响带隙的一个因素:填充率相同,横截面的形状不同,其带隙位置、宽度不同。
荣垂才许明坤宁学峰
关键词:光子晶体时域有限差分法
二维光子晶体带隙与缺陷模特性的FDTD数值研究
本文利用FDTD对二维光子晶体进行了数值模拟,主要内容为: 1 介绍了光子晶体的概念和特性,综述了其理论研究、实验研究、应用研究的现状。对时域有限差分法的基本原理和时域有限差分法在研究二维光子...
荣垂才
关键词:光子晶体时域有限差分法光子带隙缺陷模
文献传递
100 keV直流光阴极电子枪接入真空电极后的电场仿真
2020年
采用三维电场仿真软件对100 keV超快电子衍射装置的直流光阴极电子枪在接入真空电极后的整体电场进行仿真,观察真空电极的工作特性及其对电子枪的影响.仿真结果表明,高压导线与真空电极连接的金属球表面电场约为4 kV/mm,处于易引发电晕放电的范围,放置PVC保护罩可阻挡其发展至空气击穿;真空电极大气压侧的陶瓷表面电场维持一较小值,不会发展出沿陶瓷表面的沿面放电;进入真空腔部分的电极导线表面电场最大值接近17 kV/mm,远超过电子枪阴极和阳极表面,极容易产生真空电子发射而导致真空击穿.在真空电极导线外套5 mm半径表面光滑金属长圆柱可有效降低表面电场,陶瓷材质效果更好,但由于陶瓷存在高电压下的间隙击穿和气孔击穿,陶瓷加工需严格.
李梦超王瑄刘巧袁寿财荣垂才陈维黄俊王兴权卢秀圆
关键词:电场仿真真空放电气体放电
金属EBG型电磁屏蔽织物的设计
2011年
提出了一种金属EBG型电磁屏蔽织物。利用时域有限差分法计算的结果表明:该屏蔽织物带宽很大,屏蔽效能可以达到-40 dB,电导率对截止频率的影响很小,容积率对截止频率的影响很大,织物的厚度对屏蔽效能的影响很小。
荣垂才苑桂玲王艳玲王聪玲谢燕辉
关键词:织物电磁辐射屏蔽
二维光子晶体中场的分布被引量:7
2008年
为了了解电磁波在光子晶体中的传输特性,用MATLAB与时域有限差分法把电磁波在真空与光子晶体中的传播实时可视化,并给出了场的空间静态分布。数值模拟的结果表明,禁带中的波被光子晶体控制,其能量分布在介质柱中,并观察到了电磁波局域化现象。
荣垂才闫珂柱谢应茂
关键词:光子晶体时域有限差分法可视化
介质折射率对一维三元光子晶体带隙的影响被引量:9
2006年
利用光学传输矩阵法,数值模拟了一维二元、三元光子晶体的带隙结构,得出:三元光子晶体的主带隙略宽于二元光子晶体的主带隙;三元光子晶体的主带隙主要取决于最高折射率的介质和最低折射率的介质,而与居于两者之间的介质关系不大,并作出了相应的关系曲线。最后推导了三元光子晶体的色散关系。
宁学峰荣垂才闫珂柱
关键词:光子晶体带隙特征矩阵
IGBT深槽刻蚀氮化硅硬掩膜制作工艺研究
2019年
硅基深槽刻蚀是槽栅IGBT器件的基本结构,也是确保器件性能的关键工艺,氮化硅硬掩蔽膜质量对于硅基深槽刻蚀起着重要的作用.本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺淀积氮化硅薄膜,具有均匀性好,而且呈现较大的张应力,可以补偿二氧化硅缓冲层的压应力,有效地解决了硅-二氧化硅-氮化硅夹心结构的应力问题.分析比较了工艺参数,如气体流量、淀积环境的压强、温度等,对氮化硅薄膜生长速率及膜厚的影响,获得了氮化硅薄膜淀积的优化工艺参数.
袁寿财韩建强荣垂才武华李梦超王兴权
关键词:低压化学气相淀积氮化硅刻蚀
二维光子晶体异质结构的带隙分析被引量:3
2006年
提出异质结构的二维光子晶体模型,用时域有限差分法计算其带隙,数值计算结果表明,其带隙宽度变大。
荣垂才闫珂柱石宗华宁学峰
关键词:光子晶体时域有限差分法
共2页<12>
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