张永
- 作品数：7 被引量：3H指数：1
- 供职机构：同济大学更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 磁控溅射Al-Fe-Sn薄膜的电输运性能（英文）
- 2016年
- 在电子工业中,为了制备低电阻率的Al合金薄膜,需要对薄膜进行退火。虽然材料的电阻率与其电输运性能密切相关,然而到目前为止,对于铝合金薄膜的电输运性能研究甚少。本实验首先利用TEM对于磁控溅射铝合金薄膜的结构,特别是对其与基底界面处的结构进行了表征。在此基础上,利用霍尔效应测试了解界面状态的变化对于霍尔载流子浓度及迁移率的影响。结果表明,在退火过程中,薄膜与基底之间通过扩散形成紧密接触,从而使得合金薄膜同时具有较高的载流子浓度以及载流子迁移率。最后,利用一个新提出的能带模型,解释所观察到的界面变化对于电导率的影响。
- 赵冠楠郑增耿开杰张晴张永严彪
- 关键词：电阻率电输运
- 夹层材料对累积叠轧铝基复合材料的组织及性能影响
- 2016年
- 采用累积复合轧制(ARB)技术制备Al/Cu与Al/Zn两种不同的叠层复合材料,研究了相同工艺下不同夹层材料对轧制后材料的形貌组织与性能的影响。结果显示,在400摄氏度下经过ARB三道轧制后,Al/Cu复合材料夹层由层状向岛状转变,其强度自基体的124Mpa提升至235Mpa,但是塑性大大降低。Al/Zn复合材料夹层保持层状结构,其强度从基体的124Mpa提升到385Mpa,同时延伸率并没有多少下降,当轧制应变达到最大时反而有所提升,表现出优异的力学性能。
- 张永赵冠楠严鹏飞严彪
- 关键词：铝基复合材料
- 脱溶析出对累积复合轧制Al/Zn层状复合材料组织及性能的影响被引量：2
- 2017年
- 在400℃条件下采用累积复合轧制(ARB)工艺制备Al/Zn层状复合材料。采用SEM,TEM等设备对第二轧制周期试样及第三轧制周期的试样进行显微组织观察,结果表明:在轧制过程中,Al/Zn层间界面不同成分发生相互扩散,形成扩散层;随着轧制周期的结束,扩散层中过饱和的Zn原子随温度的降低而脱溶析出,在消除晶粒边界及内部位错的同时细化晶粒。在试样内部,因为扩散层中Zn原子存在浓度梯度,过饱和的Al基体中析出的富Zn相存在不同典型的组织形态。采用万能拉伸试验机对第一、第二、第三轧制周期试样进行力学性能测试,结果显示,随着轧制周期的增加,Al/Zn层状复合材料的抗拉强度和伸长率均有大幅度提升,抗拉强度由第一轧制周期的128.81 MPa增加至第三轧制周期的351.54 MPa,提升了173%,同时伸长率由6.66%提升至11.08%。采用SEM对试样断口进行观察后发现,断口表现出明显的复合材料强界面裂纹偏转现象。采用累积复合轧制(ARB)工艺制备Al/Zn层状复合材料,因为存在复合材料强界面裂纹偏转作用以及晶粒的细化作用,表现出良好的综合力学性能。
- 张永耿开杰赵妍季怡杰严彪
- 关键词：铝基复合材料力学性能
- Al-SiO2-Mg系铝基颗粒增强复合材料的磨损性能研究
- 本文采用原位反应合成方法制备了Al2O3/Mg2Si颗粒增强铝基复合材料。通过磨损试验测定了Mg/SiO2不同摩尔比时该体系材料的室温磨损性能，并分析了滑动路程、外加载荷以及滑动速度对其磨损性能的影响。通过对磨损表面的扫...
- 王嘉婧张永徐莉莉严彪
- 关键词：铝基复合材料摩尔比
- 一种高导电性铝合金薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种高导电性铝合金薄膜及其制备方法，化学成分为Al-Sn-X，其中X为Fe、Ni、Zn或Si元素中的一种或几种，铝合金薄膜在25℃的条件下电阻率为1.7～2.1μΩ·cm，采用纳米晶铝合金薄膜的制备、纳米晶铝合...
- 赵冠楠严彪张永郑增牛俊超
- 文献传递
- ARB工艺下Al/Zn多层复合材料界面变化的研究被引量：1
- 2016年
- 累积复合轧制(Accumulative Roll-Bonding,ARB)工艺作为一种大塑性变形工艺,近期在制备金属基多层复合材料方面受到关注.通过ARB工艺制备Al/Zn多层复合材料,重点观察Al/Zn多层复合材料界面间的变化规律.在扫描电子显微镜(SEM)下,可以明显地观察到在Al/Zn界面处扩散层的存在,说明在ARB工艺状态下,不同层之间存在扩散作用,但是X射线衍射(XRD)结果无法分辨材料内部结构.通过透射电子显微镜(TEM)观察第3周期ARB态Al/Zn多层复合材料截面,可以看到,在Al/Zn多层复合材料层间,存在4种形貌的组织,参考Al-Zn合金的时效析出过程可知,在ARB工艺过程中,Al过固溶体存在连续脱溶和非连续脱溶两种路径,其脱溶路径的不同主要与扩散到Al基体中的Zn浓度有关.
- 张永赵冠楠严鹏飞严彪
- 关键词：铝基复合材料
- 一种高导电性铝合金薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种高导电性铝合金薄膜及其制备方法，化学成分为Al‑Sn‑X，其中X为Fe、Ni、Zn或Si元素中的一种或几种，铝合金薄膜在25℃的条件下电阻率为1.7～2.1μΩ·cm，采用纳米晶铝合金薄膜的制备、纳米晶铝合...
- 赵冠楠严彪张永郑增牛俊超
- 文献传递
