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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇真空
  • 1篇真空烧结
  • 1篇温度特性
  • 1篇空洞率
  • 1篇回流炉

机构

  • 2篇中国科学院研...
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇广州大学

作者

  • 2篇刘云
  • 2篇王立军
  • 2篇黄海华
  • 1篇单肖楠
  • 1篇张志军
  • 1篇张金龙
  • 1篇秦莉
  • 1篇宁永强
  • 1篇李爱社
  • 1篇杨晔

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国光学

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
850nm锥形半导体激光器的温度特性被引量:10
2013年
采用激射波长为850 nm的AlGaInAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制增益量子阱结构的外延片,分别制备了具有锥形结构和条形结构的半导体激光器,并对比分析了两者的温度特性。结果显示,测试温度为20~70℃时,锥形结构器件的特征温度为164 K,远高于条形结构器件的96 K;占空比为0.5%(t=50μs,f=100 Hz),1 000 mA脉冲电流注入条件下,锥形激光器和条形激光器的波长漂移系数分别为0.25和0.28 nm/K;测试温度<50℃时,锥形激光器和条形激光器的光谱半高宽分别约为1.12和1.24 nm。实验结果表明:相同外延层结构条件下,锥形激光器比条形激光器拥有更高的特征温度。
黄海华刘云杨晔秦莉宁永强王立军
关键词:温度特性
VL020回流炉中半导体激光器芯片In焊接研究被引量:1
2012年
利用VL020真空烧结炉,选用In焊料对半导体激光器芯片的焊接技术进行较为深入的研究,分别对焊接时气体保护、焊接前期芯片、热沉的处理、真空工艺过程压力的施加、夹具设计和烧结工艺曲线等因素进行实验分析。结果表明,以上参数对半导体激光器芯片的焊接均有显著的影响,在N2/H2体积分数为95%/5%气体的保护下,通过对夹具施加适当的静压力,In焊料与Au能够充分和快速润湿,实现较高的焊接质量。蔡司显微镜检测结果表明,采用焊接技术可以使半导体激光器芯片具有较低的空洞率,高达90%以上的焊透率,其焊接过程主要通过夹具装配完成,人为影响因素少,成品率高,并适用于小批量生产。
张志军李爱社刘云张金龙单肖楠黄海华王立军
关键词:空洞率真空烧结
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