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崔光龙

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：南开大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇电子束蒸发
  • 3篇衬底
  • 2篇电阻
  • 2篇氧分压
  • 2篇蒸发条件
  • 2篇方块电阻
  • 2篇ITO薄膜
  • 2篇衬底温度
  • 1篇增透
  • 1篇柔性衬底
  • 1篇反特
  • 1篇ITO
  • 1篇ITO膜

机构

  • 3篇南开大学

作者

  • 3篇张德贤
  • 3篇赵飞
  • 3篇齐龙茵
  • 3篇崔光龙
  • 2篇席强
  • 2篇蔡宏琨
  • 2篇冯凯
  • 2篇陶科
  • 2篇张晓
  • 1篇刘召军
  • 1篇李胜林
  • 1篇何俊峰

传媒

  • 1篇真空

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法
本发明涉及电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法。通过控制蒸发条件，在氧分压5.0×10<Sup>－2</Sup>Pa，衬底温度100℃，电子枪电压－8.0kv等条件下，实现采用电子束蒸发低温高效无损伤制备锡掺杂...
蔡宏琨齐龙茵赵飞冯凯张晓崔光龙陶科席强张德贤
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电子束低温蒸发ITO膜增透、增反特性研究被引量：2
2006年
本实验是在低温条件下,采用电子束蒸发制备ITO透明导电薄膜,通过监测电阻来控制薄膜的厚度,通过控制薄膜厚度研究了增透和增反两种效果的ITO膜的制备及膜的光学特性。当膜厚达170 nm和83 nm时透过率和反射率可达95%和6%。
齐龙茵张德贤何俊峰崔光龙赵飞刘召军李胜林
关键词：ITO增透柔性衬底电子束蒸发
电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法
本发明涉及电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法。通过控制蒸发条件，在氧分压5.0×10<Sup>-2</Sup>Pa，衬底温度100℃，电子枪电压-8.0kV等条件下，实现采用电子束蒸发低温高效无损伤制备锡掺杂...
蔡宏琨齐龙茵赵飞冯凯张晓崔光龙陶科席强张德贤
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