刘伟
- 作品数：15 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京七星华创电子股份有限公司更多>>
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- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 具有监测半导体晶片状态功能的夹持装置和方法
- 本发明涉及半导体集成电路器件清洗技术领域，公开了一种具有监测半导体晶片状态功能的夹持装置，包括：可旋转的卡盘、位于所述卡盘几何中心的旋转轴、固定于所述旋转轴上的传感器、以及分布在所述卡盘上的至少三个夹持元件。本发明还提供...
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- 一种晶圆干燥装置
- 本实用新型公开了集成电路制造领域中的一种晶圆干燥装置。本实用新型包括图像检测模块、参数设置模块、位置调整模块、吸液模块和干燥模块。本实用新型首先用吸管吸取晶圆线槽内的大部分液体，之后迅速用氮气将线槽内的剩余液体吹干，不仅...
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- 晶片清洗装置
- 本实用新型公开了一种晶片清洗装置，涉及半导体集成电路器件清洗技术领域，所述装置包括：用于承载晶片的晶片承载单元、设置于所述晶片承载单元上方的晶片正面兆声波清洗喷头、设置于所述晶片承载单元内的晶片背面兆声波清洗单元、旋转轴...
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- 文献传递
- 防止液体回溅装置
- 本发明提供一种防止液体回溅装置，包括用于放置物体的卡盘、与所述卡盘固定连接用于旋转所述卡盘的旋转轴以及环设于所述卡盘周围的侧壁，所述卡盘的旋转用于甩干所述物体上的液体，所述侧壁用于防止从所述物体上甩开的液体飞溅至所述侧壁...
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- 无损伤单晶圆兆声波清洗装置的研发被引量：2
- 2016年
- 在半导体制造中,随着集成电路特征尺寸的不断缩小,晶圆表面纳米颗粒污染物的无损伤清洗变得越来越具有挑战。介绍了一种自主研发的单晶圆兆声波清洗装置,利用石英微共振腔阵列对到达晶圆表面的兆声波能量进行控制。研究了不同工艺条件下该装置清洗后的颗粒去除效率,并与常规喷嘴的清洗结果进行比较。在图形损伤方面,采用该装置对具有40 nm线宽的多晶硅线条状栅极结构的图形晶圆进行了损伤测试,并与商业化的兆声波清洗装置的清洗结果进行对比。结果表明,该自主研发的装置能够在保证对晶圆表面图形结构没有损伤的前提下,有效地去除颗粒污染物,在40 nm及以下的半导体清洗工艺中应用前景广阔。
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- 关键词：无损伤
- 具有监测半导体晶片状态功能的夹持装置
- 本实用新型涉及半导体集成电路器件清洗技术领域，公开了一种具有监测半导体晶片状态功能的夹持装置，包括：可旋转的卡盘、位于所述卡盘几何中心的旋转轴、固定于所述旋转轴上的传感器、以及分布在所述卡盘上的至少三个夹持元件。本实用新...
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- 卡盘转速及喷淋臂摆动方式对晶片腐蚀性能的影响
- 2015年
- 随着晶片尺寸的不断增大,精准控制单片湿法腐蚀速率及非均匀性变得越来越具有挑战性。主要研究了300 mm单片湿法腐蚀工艺过程中,喷射稀释氢氟酸时卡盘的旋转速度和喷淋臂摆动方式对晶片表面腐蚀性的影响。结果表明,随着卡盘旋转速度的增大,腐蚀速率从1.02 nm/min线性提高到1.06 nm/min,腐蚀速率的非均匀性先是迅速降低,但当转速高于150 r/min后,基本保持在2.70%。喷淋臂在晶片中心定点喷射、匀速摆动和呈抛物线型摆动时,晶片腐蚀速率都约为1 nm/min,腐蚀速率均沿晶片中心到边缘径向降低,与定点喷射相比,喷淋臂在晶片表面摆动后,腐蚀速率的非均匀性明显降低,且抛物线摆动低于匀速摆动,达到1.48%。
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- 关键词：腐蚀速率
- 一种提高晶片腐蚀均匀性的装置及方法
- 本发明公开了一种提高晶片腐蚀均匀性的装置及方法，包括第一喷淋臂以及第一喷淋装置,第一喷淋装置安装在可带动其旋转和/或升降的第一喷淋臂上，第一喷淋装置的长度与晶片的半径或直径一致，其喷出的化学药液可瞬间同时覆盖晶片的表面。...
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- 一种晶圆干燥方法及装置
- 本发明公开了集成电路制造领域中的一种晶圆干燥方法及装置。首先识别晶圆表面的图形和所述图形沟道的深度；然后根据所述晶圆表面的图形和所述图形沟道的深度设置吸液参考点；之后根据吸液参考点将吸管的位置调整到图形沟道的底部中点并吸...
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- 晶片清洗装置及清洗方法
- 本发明公开了一种晶片清洗装置及清洗方法，涉及半导体集成电路器件清洗技术领域，所述装置包括：用于承载晶片的晶片承载单元、设置于所述晶片承载单元上方的晶片正面兆声波清洗喷头、设置于所述晶片承载单元内的晶片背面兆声波清洗单元、...
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