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姜春霞

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：天津理工大学更多>>
发文基金：天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇有机场效应晶...
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体管
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇有源层
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子迁移率
  • 1篇真空蒸镀
  • 1篇衰变
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管器件
  • 1篇交联
  • 1篇交联结构
  • 1篇并五苯

机构

  • 2篇天津理工大学

作者

  • 2篇印寿根
  • 2篇姜春霞
  • 1篇曾宪顺
  • 1篇杨利营
  • 1篇王亚凌
  • 1篇吴晓明
  • 1篇闫齐齐
  • 1篇邓家春
  • 1篇戚辉
  • 1篇张达
  • 1篇刘爱华

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 2篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种具有交联结构有源层的有机场效应晶体管及制备方法
一种具有交联结构有源层的有机场效应晶体管，包括Si衬底、SiO<Sub>2</Sub>绝缘层、具有交联结构有源层和金属源漏电极层并依次构成叠加结构，具有交联结构的有源层为通过在有源层中加入交联剂的方法形成且交联剂与构成有...
印寿根姜春霞王亚凌杨利营吴晓明
文献传递
有机场效应晶体管输出特性的衰变与恢复被引量：1
2011年
制作了以并五苯作为有源层的有机场效应晶体管(OFETs)。实验观察表明,在原位条件下,器件有很好的输出特性曲线;但在空气中放置3个月后,输出特性曲线明显衰退,并且关态电流增大;为恢复器件性能,在真空条件下,对器件进行加热处理。实验结果表明,经过热处理的晶体管输出特性极大改善。因此,真空热处理可以使衰退器件的输出特性得到恢复。
戚辉刘爱华姜春霞闫齐齐张达曾宪顺邓家春印寿根
关键词：并五苯衰变
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