周进 作品数:14 被引量:17 H指数:3 供职机构: 华东师范大学 更多>> 发文基金: 上海-AM基金 上海市教育委员会重点学科基金 上海市科学技术委员会资助项目 更多>> 相关领域: 电子电信 文化科学 哲学宗教 经济管理 更多>>
一种基于绝缘体上硅工艺的CMOS射频开关 本发明公开了一种基于绝缘体上硅工艺的CMOS射频开关,其电路设计采用两级式关闭隔离结构及两级式电流泻放路径结构,利用绝缘体上硅工艺器件的高阻衬底及隐埋氧化层,显著降低串扰和最小化寄生电容,更好地屏蔽衬底噪声,在开关两端得... 陈磊 周进 赖宗声 马和良 田亮 黄爱波 王超 顾彬 阮颖 崔建明文献传递 参与类赛事型体育旅游产品价值共创实现路径研究 体育旅游是当前中国经济转型升级时期所孕育和催生出的新的经济增长点,受到了全国上下各级各层面的重视与关注。产品是体育旅游的核心部分,也是体育旅游中最重要的内容,同时还是维系供应商与消费者之间关系的通道。“产品内容为王”的年... 周进关键词:体育旅游产品 文献传递 低杂散锁相环中电荷泵的设计 被引量:3 2009年 采用IBM0.18μm CMOS工艺,设计了一款应用于433MHzASK接收机中低杂散锁相环的电荷泵电路。设计采用与电源无关的带隙基准偏置电流源和运算放大器,实现了电荷泵充放电电流源的精确匹配,有效抑制了传统电荷泵对锁相环锁定状态中杂散信号的影响。电路在Cadence的Spectre工具下进行仿真,结果表明:当电源电压为1.8V、参考电流为30μA、输出电压范围在0.5~1.5V时,充放电电流精确匹配,杂散小于-80dB,其性能符合接收机系统要求。 黄爱波 何伟 周进 田亮 陈磊 赖宗声关键词:锁相环 电荷泵 杂散 一种多模多频无线收发器前端SiGe BiCMOS低噪声放大器 被引量:2 2009年 基于IBM0.18μm SiGe BiCMOS工艺,提出了一种应用于2.4~2.5GHz802.11b/g频段的低噪声放大器(LNA)。电路采用全差分发射极电感负反馈共射共基(Cascode)结构,对称电感有效地降低了芯片面积,优化了电路性能。仿真结果表明:该电路在2.4GHz到2.5GHz频率范围内,增益(S21)达到25dB,噪声系数(NF)小于1.5dB,大幅度提高了收发机系统的性能。此外,输入和输出匹配(S11,S22)分别达到-15dB,1dB压缩点大于-25dBm。电源电压为2.5V时电路总电流为3mA。 周进 田亮 陈磊 阮颖 赖宗声关键词:低噪声放大器 SIGE BICMOS 一种全差分E类功率放大器 本发明公开了一种全差分E类功率放大器,该放大器是由Bipolar器件、CMOS器件和无源器件相结合组成的电路,即差分输入对是Bipolar器件,交叉耦合对是NMOS管,采用两级结构,第一级预放大级对输入恒包络调制信号进行... 陈磊 田亮 赖宗声 马和良 周进 黄爱波 王超 顾彬 阮颖 崔建明文献传递 一种基于绝缘体上硅工艺的CMOS射频开关 本发明公开了一种基于绝缘体上硅工艺的CMOS射频开关,其电路设计采用两级式关闭隔离结构及两级式电流泻放路径结构,利用绝缘体上硅工艺器件的高阻衬底及隐埋氧化层,显著降低串扰和最小化寄生电容,更好地屏蔽衬底噪声,在开关两端得... 陈磊 周进 赖宗声 马和良 田亮 黄爱波 王超 顾彬 阮颖 崔建明基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性射频功率放大器 被引量:7 2010年 采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段的Class AB射频功率放大器。该放大器采用两级放大结构,具有带温度补偿的线性化偏置电路。仿真结果显示:电路的输入匹配S11小于-13 dB,输出匹配S22小-于20 dB,功率增益达27.3 dB,输出1 dB压缩点为23 dBm,最大功率附加效率(PAE)为21.3%;实现了匹配电路、放大电路和偏置电路的片上全集成,芯片面积为1 148μm×1 140μm。 阮颖 陈磊 田亮 周进 赖宗声关键词:射频功率放大器 SIGE BICMOS 球迷对上海绿地申花俱乐部的认同感调查 <正>1研究目的美国广告专家莱利.莱特指出:'品牌竞争是未来营销市场的主旋律,市场占有率比产品生产能力更有用,打造具有市场主导地位的优势品牌是拥有市场的唯一出路'。当前,企业竞争已从单纯的价格、质量和服务竞争转化为具有深... 周进 黄海燕关键词:足球俱乐部 球迷 认同感 文献传递 低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路的研究 被引量:5 2009年 基于0.18μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种可广泛应用于无线通信系统中的低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路。该电路利用SOI器件的特殊结构(隐埋氧化层BOX,高阻衬底)和特殊SOI器件(FB,BC,BT等),使电路采用的器件较之体硅CMOS器件具有更优的隔离性能,实现了降低插入损耗和增加隔离度的目的。该电路经过模拟仿真,在频率为2.4GHz时,插入损耗和隔离度分别为-1dB和40dB。 田亮 陈磊 周进 黄爱波 赖宗声关键词:SOI 射频开关 CMOS 高隔离度 调适上遂与破除光景——圆教模式中的罗近溪思想研究 本论文以罗近溪对孟子之“践形”说的阐释,作为理解圆教问题的切入点。具体而言,是将德福一致之圆善,转换为更加切题的心身之谐和。如此转换的根据,是因为就宋明儒学的义理架构而言,“心—身”之架构可以通贯工夫论的体系与宇宙论的洞... 周进关键词:圆善 圆教 良知