卢立延
- 作品数：3 被引量：9H指数：1
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 应用表面扫描仪研究硅抛光片表面质量
- 卢立延孙燕
- 关键词：硅抛光片硅片
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- CUSP磁场对直拉硅单晶氧浓度分布影响的数值模拟被引量：9
- 2011年
- 利用有限元分析软件对Φ300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了保持CUSP磁场对称面与熔体坩埚界面交点处的径向分量不变的情况下,硅单晶中氧浓度分别随CUSP磁场通电线圈距离、通电线圈半径的变化规律。随着通电线圈距离和半径的增大,晶体熔体固液界面氧浓度均逐渐降低。随着通电线圈距离和半径的增大,硅熔体径向磁场强度逐渐增大,对坩埚底部熔体向晶体熔体固液界面处对流的抑制作用加强,固液界面下方熔体轴向流速减小,使得从坩埚底部运输上来的富氧熔体减少,继而固液界面处的氧浓度降低。随着线圈距离和半径的增大,为保持所需磁场强度,施加电流也逐渐增大,从而能耗增大,与增大通电线圈距离相比,增大通电线圈半径所需的电流较大。通过实验,将CUSP磁场对单晶中氧浓度分布影响的数值模拟结果与实际晶体生长进行了对比,实验结果验证了数值模拟的结果。
- 常麟周旗钢戴小林鲁进军卢立延
- 关键词：直拉硅单晶氧浓度有限元分析数值模拟
- 应用表面扫描仪研究硅抛光片表面质量
- 卢立延孙燕
- 关键词：硅抛光片硅片
