刘大力
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 多晶硅沉积厚度对氧沉淀和洁净区形成的影响被引量：1
- 2016年
- 硅片背面沉积多晶硅是半导体生产中常用的吸杂手段,多晶硅中存在着大量的晶界,可以吸除金属杂质,它还可以影响硅片内氧沉淀的分布,增强内吸杂的作用。通过控制低压化学气相沉积(LPCVD)系统的沉积时间,在硅片背面沉积不同厚度的多晶硅薄膜,借助择优腐蚀和金相显微(OM)观察等手段研究了沉积厚度对重掺硼硅片内氧沉淀形成与分布的影响。结果表明:沉积的多晶硅薄膜越厚,硅片的形变量越大,小尺寸的氧沉淀数量增多并在表面附近聚集,大尺寸的氧沉淀则倾向于在体内和背面形成,洁净区的厚度则减小直至无洁净区建立。多晶硅薄膜通过对硅片施加应力引起硅片形变,从而影响氧沉淀硅片体内形成的位置,起到促进内吸杂的作用。最佳多晶硅沉积厚度为800 nm。
- 黄栋栋曲翔刘大力周旗钢刘斌刘红艳
- 关键词：氧沉淀
- RPCVD生长应变Si/应变SiGe薄膜的研究
- 随着器件特征尺寸的不断减小并接近其物理极限,集成电路的发展将面临严峻的考验。研究表明,在硅晶格中引入应变可以提高载流子的迁移率,改善MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effec...
- 刘大力
- 关键词：快速退火
- 文献传递
- 重掺硼硅片表面清洗研究
- 2017年
- 研究了SC-1清洗过程对重掺硼和轻掺硼硅片表面颗粒、微粗糙度的影响及其清洗后硅片表面化学组态分布,采用表面颗粒激光扫描仪、原子力显微镜及X射线光电子能谱(XPS)对重掺硼和轻掺硼硅片在SC-1清洗过程中表现的不同清洗特性进行分析。结果表明:在SC-1清洗中,重掺硼硅片表面更容易吸附颗粒,需要更长的清洗时间来得到清洁表面;随清洗时间延长,重轻掺硅片表面微粗糙度均有增大趋势,且重掺硼硅片表面微粗糙度始终比轻掺硼硅片大,通过表面高度结果可知,相同清洗条件下,重掺硼硅片表面纵向腐蚀深度比轻掺硼大0.3 nm,与(111)面的晶面间距相近;XPS结果显示重掺硼硅单晶中大量硼原子的引入对SC-1清洗过程中的各向异性腐蚀有一定的增强效果,适当改变SC-1清洗中的氧化剂的含量有助于得到更好的表面质量。
- 墨京华李俊峰刘大力刘斌鲁进军周旗钢
- 300mm Si外延片表面颗粒缺陷的研究被引量：3
- 2012年
- 研究了不同拉晶速率对300 mm硅外延片表面缺陷的影响,SP1(表面激光颗粒扫描仪)测试结果表明:较低的拉晶速率下,外延片表面出现环状颗粒缺陷分布带;较高的拉晶速率下,外延片表面的环形缺陷带消失。利用Femag-CZ软件模拟了不同速率下晶体的生长结果,结合其ci-cv分布图,分析出这种环状分布的颗粒缺陷是由于晶体中间隙原子富集区产生的微缺陷,在外延过程中(1050℃)聚集长大,从而在界面处造成晶格畸变引起的。随着衬底拉速的降低,间隙原子富集区的面积增大,硅片外延后越容易出现环状分布的颗粒缺陷。因此在单晶拉制过程中,为了避免这种环状缺陷的产生,应适当提高晶体的拉速。
- 刘大力冯泉林周旗钢何自强常麟闫志瑞
- 关键词：SP1拉速
