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王晨杰

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 8篇存储器
  • 6篇俘获
  • 5篇介电
  • 5篇介电常数
  • 3篇阻挡层
  • 3篇纳米
  • 3篇高介电常数
  • 2篇叠层
  • 2篇钝化
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇栅电极
  • 2篇栅结构
  • 2篇闪存
  • 2篇闪存存储
  • 2篇闪存存储器
  • 2篇双栅
  • 2篇区划
  • 2篇离子注入
  • 2篇纳米线

机构

  • 10篇中国科学院微...

作者

  • 10篇张满红
  • 10篇刘璟
  • 10篇霍宗亮
  • 10篇刘明
  • 10篇王晨杰
  • 9篇谢常青
  • 5篇王琴
  • 4篇王永
  • 1篇朱晨昕
  • 1篇郑志威
  • 1篇许中广

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种电荷俘获非挥发存储器及其制造方法
本发明公开了一种电荷俘获非挥发存储器及其制造方法。所述存储器包括：半导体衬底，所述衬底中形成源、漏区域；形成于所述衬底之上的多叠层栅介质层结构，其中，所述栅介质层自衬底开始依次包括：隧穿层、分裂栅结构中形成材料不同的两个...
刘明王晨杰霍宗亮张满红王琴刘璟谢常青
文献传递
一种纳米晶存储器及其制作方法
本发明提供一种纳米晶存储器，包括半导体衬底、位于衬底上的栅堆叠介质层和位于栅堆叠介质层上的栅极层，位于栅堆叠介质层两侧衬底上的源漏区，其中，所述栅堆叠介质层依次包括电荷隧穿层、介质缓冲层、电荷存储层和电荷阻挡层，其中，所...
刘明王晨杰霍宗亮张满红刘璟谢常青
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一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法
本发明公开了一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上通过浅槽隔离形成器件的有源区和沟道区；采用低温化学气相沉积与原子层沉积技术相结合的方法，在衬底上形成包括隧穿层、电荷存储层及阻挡层的多叠层栅介质层...
刘明王晨杰霍宗亮张满红王琴刘璟谢常青
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双栅电荷俘获存储器及其制作方法
本发明公开了一种基于多晶硅纳米线场效应晶体管的双栅电荷俘获存储器及其制作方法。该双栅电荷俘获存储器具有两个多晶硅栅极，包括：半导体衬底；形成于该半导体衬底之上的第一介质缓冲层；形成于该第一介质缓冲层之上的第二介质缓冲层；...
刘明王晨杰霍宗亮张满红刘璟王永谢常青
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双栅电荷俘获存储器及其制作方法
本发明公开了一种基于多晶硅纳米线场效应晶体管的双栅电荷俘获存储器及其制作方法。该双栅电荷俘获存储器具有两个多晶硅栅极，包括：半导体衬底；形成于该半导体衬底之上的第一介质缓冲层；形成于该第一介质缓冲层之上的第二介质缓冲层；...
刘明王晨杰霍宗亮张满红刘璟王永谢常青
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一种电荷俘获非挥发存储器及其制造方法
本发明公开了一种电荷俘获非挥发存储器及其制造方法。所述存储器包括：半导体衬底，所述衬底中形成源、漏区域；形成于所述衬底之上的多叠层栅介质层结构，其中，所述栅介质层自衬底开始依次包括：隧穿层、分裂栅结构中形成材料不同的两个...
刘明王晨杰霍宗亮张满红王琴刘璟谢常青
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一种闪存存储器及其制作方法
本发明提供一种闪存存储器，存储器的电荷存储层被隔离介质区划分为两个电荷存储区，所述隔离介质区的电导率小于所述两个电荷存储区的电导率，两个电荷存储区的材料不同。相应地，本发明还提供一种闪存存储器的制作方法。本发明的闪存存储...
刘明王晨杰霍宗亮张满红刘璟谢常青王永
文献传递
一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法
本发明公开了一种电荷俘获非挥发存储器的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上通过浅槽隔离形成器件的有源区和沟道区；采用低温化学气相沉积与原子层沉积技术相结合的方法，在衬底上形成包括隧穿层、电荷存储层及阻挡层的多叠层栅介质层...
刘明王晨杰霍宗亮张满红王琴刘璟谢常青
一种闪存存储器及其制作方法
本发明提供一种闪存存储器，存储器的电荷存储层被隔离介质区划分为两个电荷存储区，所述隔离介质区的电导率小于所述两个电荷存储区的电导率，两个电荷存储区的材料不同。相应地，本发明还提供一种闪存存储器的制作方法。本发明的闪存存储...
刘明王晨杰霍宗亮张满红刘璟谢常青王永
文献传递
MOS器件栅介质层陷阱的表征方法
2011年
随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠性的研究一直是学术界和工业界研究的重点。普遍认为,栅介质中的陷阱是引起栅介质退化乃至击穿的主要因素,对栅介质中陷阱信息的准确提取和分析将有助于器件性能的优化、器件寿命的预测等。针对几十年来研究人员提出的各种陷阱表征方法,在简单介绍栅介质中陷阱相关知识的基础上,对已有的界面陷阱和氧化层陷阱表征方法进行系统的调查总结和分析,详细阐述了表征技术的新进展。
许中广霍宗亮张满红王琴刘璟朱晨昕郑志威王晨杰刘明
关键词：MOS器件栅介质可靠性氧化层陷阱
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