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高K栅介质材料的研究现状与前景被引量：2: 2010年; 论述了45～32nm技术节点下高K材料取代SiO2的必要性和基本要求,综述了高K栅介质中极具代表性的Hf基材料。研究表明,向HfO2中分别掺杂Al、Si、Ta、N等形成的复合Hf基高K栅介质材料具备较HfO2更加优异的物理结构、晶化温度、热力学稳定性以及电学特性,但与此同时也存在如何优化掺杂量、沟道载流子迁移率下降以及中间层引起的界面退化等难题。针对这些挑战,探讨了新型"堆垛结构"和引起载流子迁移率下降的物理机制,展望了高K材料在未来先进COMS器件中的应用。; 余涛吴雪梅诸葛兰剑葛水兵; 关键词：高K栅介质 HFO2 MOSFET器件

一种无电容动态随机存储单元及其制作方法与存储方法: 本发明提供一种无电容动态随机存储单元及其制作方法与存储方法，所述存储单元采用两个金属-氧化物-半导体场效应管组合，其中一个具有P型掺杂源区的场效应管作为电荷的提供者和存储者，另一个场效应管则作为存储状态的感知者。本发明的...; 陈静伍青青罗杰馨余涛柴展王曦; 文献传递

生长温度对热蒸发法制备ZnO纳米线的结构与发光性能影响: 2013年; 采用无金属催化剂的简单热蒸发法,在Si(100)衬底上不同生长温度下成功地制备了高密度和大长径比的单晶ZnO纳米线。分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM-EDS)、透射电子显微镜(TEM)及荧光光谱仪表征样品的结构和发光性质。XRD和TEM研究表明,所制备的样品为沿c轴择优取向生长的单晶ZnO纳米线,具有六方纤锌矿结构。SEM和TEM研究表明,生长温度对ZnO纳米线的形貌及长径比的影响较大。当生长温度为700℃时,制备得到长径比为300(长度约为15μm,直径约为50nm)的ZnO纳米线;低于600℃时,形成花状ZnO纳米锥或纳米棒;高于700℃时,形成小长径比的ZnO纳米棒。此外,室温光致发光(PL)谱上出现一个强而尖锐的紫外发射峰以及一个弱而宽泛的蓝光发射峰。采用的热蒸发法制备ZnO纳米线基于气-固(VS)生长机理且该生长方法可用于大规模、低成本制备高纯度的单晶ZnO纳米材料。; 杨燕余涛金成刚韩琴吴兆丰诸葛兰剑吴雪梅; 关键词：ZNO纳米线热蒸发光致发光

退火对双离子束沉积的HfTaO薄膜结构和电学性质的影响: 2012年; 利用双离子束沉积系统沉积了HfTaO薄膜,并研究了退火对HfTaO薄膜的结构和电学性质的影响.将HfTaO薄膜分别在900℃和1 000℃下进行真空退火.利用SEM,EDXS,XPS,XRD和AFM对退火前后HfTaO薄膜的成分和结构进行分析;并对退火前后的电学特性C-V,G-V和I-V进行研究.高温退火后发现:由于Ta的掺入,HfTaO薄膜的结晶温度提高1 000℃左右.退火后HfTaO薄膜虽然积累区电容有所减小,但是薄膜的氧化层固定电荷Qf,氧化层陷阱电荷Qot和界面缺陷电荷密度Dit(Hill-Coleman方法得到)都有所减小;此外薄膜的漏电流在退火后也相应的减小.; 董尧君余涛余涛诸葛兰剑; 关键词：退火电学性质

HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征: 利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。研究结果显示，Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶...; 余涛陈静罗杰馨柴展伍青青吴雪梅; 关键词：金属-氧化物-半导体器件微结构电学性质

双晶体管储存器: 本发明提供一种双晶体管储存器，包括I-MOS管与MOSFET管，所述I-MOS管的栅极连接有字线，所述I-MOS管的漏极连接有第一位线，所述MOSFET管的栅极连接所述I-MOS管的源极，所述MOSFET管的漏极连接有第...; 陈静余涛罗杰馨伍青青柴展; 文献传递

一种基于SOI的纵向SiGe双极晶体管及其制备方法: 本发明提供一种基于SOI的纵向SiGe-HBT及其制备方法，属于微电子与固体电子领域。该方法通过将普通的厚埋氧层的常规SOI半导体衬底作为起始晶片，在其特定区域制作薄埋氧层，并在薄埋氧层上制作HBT。该器件工作时，通过向...; 陈静余涛罗杰馨伍青青柴展; 文献传递

高k材料Ta2O5结构与电学性质的研究被引量：1: 2011年; 利用双离子束沉积设备在p-Si(100)衬底上制备了Ta2O5基MOS电容,研究了不同辅源能量0、100、200、300eV下薄膜生长机制、内部结构以及电学性质的差异。实验结果显示,在辅源能量200eV下制备的Ta2O5薄膜具有最小的表面粗糙度和优异的界面特性。由C-V/I-V特征曲线表明,辅源能量200eV下制备的Ta2O5基MOS电容具有最小的平带电压偏移量、氧化层电荷密度以及漏电流。研究表明合适的辅源能量可有效改善薄膜生长机制,使薄膜由类岛状沉积转化为层状生长,从而提高晶粒均匀性、薄膜平整度以及致密性,使薄膜具有较好的电学性质。; 陈息林余涛吴雪梅董尧君诸葛兰剑; 关键词：高K栅介质 TA2O5 MOSFET器件微结构电学性质

提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法: 本发明提供一种提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法。根据本发明的方法，先在绝缘体上材料结构上形成至少一个器件的源区、栅区、及漏区；随后，对所述源区再进行掺杂使所述源区的部分区域为N型、部分区域为P型；最后再在进行了...; 罗杰馨陈静伍青青柴展余涛吕凯王曦; 文献传递

一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法: 本发明提供一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法，属于存储器设计及制造技术领域，所述存储器单元包括两个反相器及传输门，所述反相器由一结构对称的NMOS晶体管及结构对称的PMOS晶体管互连组成，所述传输门由两个源漏结构...; 陈静伍青青罗杰馨柴展余涛王曦; 文献传递

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余涛