张艳霞
- 作品数：5 被引量：11H指数：2
- 供职机构：西南交通大学电气工程学院磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国际热核聚变实验堆计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学动力工程及工程热物理更多>>
- 溅射时间对Mo薄膜结晶取向的影响被引量：4
- 2013年
- 采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,并用XRD、SEM、四探针等对薄膜进行表征,研究了沉积时间对薄膜晶体结构、表面形貌以及电学性能的影响。研究发现,沉积时间能够调节Mo薄膜的择优取向。溅射时间较短(5～10min)时,沉积的Mo薄膜呈(110)择优取向。溅射时间超过15min后,薄膜呈现(211)取向,且(211)晶面择优程度随沉积时间的增加而提高。随着择优取向的改变,薄膜的表面形貌由三角形颗粒变为长条形颗粒,电阻率也发生相应变化,由3.92×10-5Ω·cm增加到4.27×10-5Ω·cm再降低,对应薄膜生长的晶带模型由晶带T型组织变为晶带2组织。
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- 关键词：直流磁控溅射电性能
- 非晶CIGS前驱膜无硒退火的相变历程
- 2012年
- 采用一步射频磁控溅射法在室温获得了CIGS薄膜,研究了不同的真空无硒退火温度(150～350℃)对CIGS薄膜相变历程的影响。薄膜相变历程中的结构和性能采用XRD、SEM、EDS、紫外-可见光吸收和四探针等测试手段进行测试表征。结果表明,室温下制备的CIGS薄膜为非晶态,随退火温度升高发生非晶CIGS→CuSe→CIGS的相变。150℃退火形成的CuSe薄膜的电阻率最低,光透过性能最差。退火温度超过200℃便生成CIGS相,CIGS相的结晶质量随退火温度升高而改善,薄膜的电阻率和光透过率也随退火温度的提高而增加。
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- 关键词：退火温度射频磁控溅射CIGS薄膜
- Mo薄膜的制备工艺与性能的相关性研究
- 高熔点稀有金属Mo具有延展性、导热、导电性能好,抗腐蚀能力强等特点,在工业领域、航天领域、以及微电子领域得到广泛应用。其中Mo薄膜是一种重要的散射层材料,Ti-Mo合金膜应用前景广泛,MoN薄膜在摩擦磨损构件中应用广泛。...
- 张艳霞
- 关键词：直流磁控溅射退火温度衬底温度电性能
- 文献传递
- 双层Mo薄膜的制备工艺与性能被引量：2
- 2013年
- 利用直流磁控溅射法在普通钠钙玻璃(SLG)衬底上沉积双层Mo薄膜,对不同条件下沉积的薄膜通过X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、四探针电阻仪等对其相结构、表面形貌以及电性能进行测试。结果表明:双层Mo薄膜呈体心立方结构;由于非晶玻璃基底的影响以及沉积时间较短,缓冲层结晶质量差,薄膜表面粗糙,有空洞、裂纹,电阻率大,随温度的升高电阻率减小,薄膜表现出半导体的特性。随着顶层薄膜(溅射工作气压0.1 Pa)沉积时间的增加,薄膜厚度增加,结晶性能变好,表面更加平整、致密,总体电阻率变小,导电性能提高,随温度的升高电阻率增大,薄膜表现出金属特性。与单层膜相比,双层膜具有更低的电阻率,且溅射时间短,厚度薄,能够降低成本,节省源材料,更符合CIGS电池背电极的需求。
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- 关键词：MO薄膜磁控溅射双层膜导电机制
- 直流溅射工艺参数对Mo薄膜结构及电性能的影响被引量：5
- 2012年
- 采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM(扫描电子显微镜)、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随着溅射功率的增加,薄膜的结晶性能变好,沉积速率提高,在沉积功率范围内薄膜均匀致密,表面无空隙,电阻率较低;随着溅射工作气压增加,薄膜结晶性能变差,沉积速率先增加后降低,在沉积工作气压范围内,薄膜致密;随气压降低,电阻率急剧减小。因此,较高的溅射功率和较低的工作气压沉积的Mo薄膜更适合作CIGS薄膜太阳电池的BC层(背接触层)。
- 黄涛闫勇黄稳张艳霞晏传鹏刘连张勇赵勇余洲
- 关键词：MO薄膜直流磁控溅射电阻率
