冯忠奎
- 作品数：28 被引量：15H指数：2
- 供职机构：淄博供电公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重大技术装备创新研制项目更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
- 高温超导带材自动包绝缘装置
- 一种高温超导带材自动包绝缘装置，其椭圆盘单元的大圆盘(4)的中心开有椭圆孔，小椭圆盘(20)嵌于大圆盘(4)的椭圆孔中，小椭圆盘(20)中央有凸轴(16)，凸轴(16)中心开有矩形通孔；小椭圆盘(20)与大圆盘椭圆孔之间...
- 王磊冯忠奎王晖王秋良
- 文献传递
- 有限元法模拟Nb_3Sn线材的应变分布被引量：1
- 2014年
- Nb3Sn超导磁体正常运行时,复合超导线材将受到大的机械载荷(如温度载荷、轴向拉伸和电磁力),其超导电性可能发生可逆和不可逆的退化。针对Nb3Sn线材经高温热处理后冷却到4.2K所产生的热应变,对复合线材结构建立详细的三维有限元分析模型,解决了一维模型不能详细模拟应变分布的问题,从微观尺度仿真了导体内部的应变分布,阐明了导体不同组份材料上热应变分布的特点。在此基础上,进一步分析了对Nb3Sn复合导线施加轴向拉力时,内部Nb3Sn芯丝上由压应变向拉伸应变的转换过程。
- 许莹戴银明李兰凯冯忠奎朱光王秋良
- 关键词：热应变
- 二次压板强制闭锁装置及其状态监控方法
- 本发明提供一种二次压板强制闭锁装置及其状态监控方法，属于电力系统二次压板投退状态监测装置领域，本发明包括二次压板强制闭锁装置、调度主站服务器、防误主机和电脑钥匙，可实现压板强制闭锁，可使压板完全断开，可有效记录压板投退状...
- 季素云冯忠奎贾栋尚刘兴华阎炳水乔恒耿宁杨静许小滔岳杰李垚张子晗崔川梁珊珊张阳于洋林英吕东飞巩方伟席文娣窦维亮刘冰刘新生张元标李强王讯孙磊于俊海胡博邻王磊谢德杰姚树汾刘达王明波王天勇李凯王欣
- 文献传递
- 超导线圈的等效热膨胀系数的理论与实验研究被引量：1
- 2013年
- 给出了计算超导线圈等效热膨胀率的理论模型和计算方法,对比了各种测量材料线膨胀系数的实验方法,并且给出了低温应变片测量热膨胀系数的技术原理。采用低温应变片法测量了矩形截面导线缠绕成型的超导线圈由77 K到300 K的线膨胀系数,并将实验测试结果与理论计算结果进行了对比分析。
- 李兰凯冯忠奎程军胜倪志鹏王秋良
- 关键词：超导线圈
- 架空绝缘导线带电修补方法
- 本发明涉及一种架空绝缘导线检修方法，特别涉及一种架空绝缘导线带电修补方法，通过将聚酰亚胺胶带对架空绝缘导线的裸露部分通过半叠包法进行包裹，包裹后的裸露部分外侧再包覆一层聚四氟乙烯包覆膜，聚四氟乙烯包覆膜的中间位置设置注入...
- 冯忠奎冯曰敏王辉贾栋尚王毅李亚洲季素云韩永张兴永孟成孟庆刚温国强孙继磊高原刘鹏升赵闯谢辰璐
- 文献传递
- 行星式无超导接头多饼线圈绕线机
- 一种行星式无超导接头多饼线圈绕线机，恒星绕线轴(1)安装于固定台架(9)上。行星传动器(4)一端安装于恒星绕线轴(1)下方，与调速电机(10)连接并由其带动。行星绕线轴(2)位于行星传动器(4)的另一端。卫星传动器(5)...
- 朱光程军胜冯忠奎戴银明王秋良
- 文献传递
- 基于MATLAB与COMSOL联合仿真的电磁优化设计被引量：5
- 2012年
- 遗传算法(Genetic Algorithm简称GA)是借鉴生物遗传学和自然选择机理的一种智能的优化算法。MATLAB中的遗传算法工具箱集成了当前比较成熟的各种遗传操作算子,借助它可以方便地完成各种问题的优化。COMSOL Multiphysics是一款大型的高级数值仿真软件,以高效的计算性能和杰出的多场直接耦合能力实现了任意多物理场的高度精确的数值仿真。为使遗传算法更高效的应用于电磁优化设计,我们研究了在MATLAB中调用COMSOL联合仿真的方法,实现了MATLAB与COMSOL的数据传递。我们将该电磁优化设计方法成功的用于一亥姆霍兹线圈,由此表明了此方法的可行性。
- 冯忠奎冯忠奎李献李献昌锟胡格丽戴银明
- 关键词：遗传算法联合仿真优化设计MATLAB
- 电缆端部去除主绝缘层专用刀
- 本实用新型公开一种刀具，特别涉及一种电缆端部去除主绝缘层专用刀，属于供电设备领域，包括依次连接的转轴、电缆芯槽和刀具固定件，刀具固定件内设置锥形电缆皮剥离孔，锥形电缆皮剥离孔的底端直径大于电缆进入孔的直径，锥形电缆皮剥离...
- 冯忠奎冯曰敏贾栋尚季素云高春杰王毅李亚洲刘刚张兴永赵延华李小涛王胜乾
- 文献传递
- 1200 V碳化硅功率MOSFET低温特性的实验表征及分析被引量：1
- 2020年
- 碳化硅功率MOSFET是宽禁带功率半导体器件的典型代表,具有优异的电气性能。基于低温环境下的应用需求,研究了1200 V碳化硅功率MOSFET在77.7 K至300 K温区的静/动态特性,定性分析了温度对碳化硅功率MOSFET性能的影响。实验结果显示,温度从300 K降低至77.7 K时,阈值电压上升177.24%,漏-源极击穿电压降低32.99%,栅极泄漏电流降低82.51%,导通电阻升高1142.28%,零栅压漏电流降低89.84%(300 K至125 K)。双脉冲测试显示,开通时间增大8.59%,关断时间降低16.86%,开关损耗增加48%。分析发现,碳化硅功率MOSFET较高的界面态密度和较差的沟道迁移率,是导致其在低温下性能劣化的主要原因。
- 赵闯郭文勇蔡洋田晨雨靖立伟高春杰冯忠奎
- 关键词：MOSFET
- 基于Prony算法的输电线路相间距离保护的研究
- 文章利用改进的Prony算法的原理用Matlab软件对EMTP-ATP仿真软件所输出的数据应进行仿真研究.大量的仿真算例表明,利用Prony算法可以在故障发生后半个周波的时间内有效提取工频电压稳态分量的幅值和相角.并基于...
- 贾栋尚季素云冯忠奎宋元江李鑫杨敬瑀
- 关键词：输电线路距离保护PRONY算法
- 文献传递
