王进军
- 作品数：27 被引量：72H指数：6
- 供职机构：西北大学更多>>
- 发文基金：西安应用材料创新基金陕西省科技攻关计划陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
- 一种M0516LAN控制的数字式FM接收机设计
- 2016年
- 以RN5B700数字调频接收机芯片与M0516LAN微控制器为核心,结合实时时钟芯片S-35390A、功率放大芯片RT9108NL、E^2PROM芯片M24C16、LCD显示模组1602,进行了数字调频接收机设计,详细阐述了系统设计原理与软硬件的实现方法。测试结果表明该接收机具有选台、频段存储、频率显示、时钟显示、静音、立体声输出等功能,可广泛应用于各类消费类电子产品中。
- 王进军王侠
- 关键词：数字调频接收机
- 基于单片机的红外电子密码锁系统的设计被引量：2
- 2012年
- 设计的是一个以STC89C51单片机为核心的红外密码锁系统。系统的硬件电路由主机电路和从机电路组成。其中,主机电路是由主单片机、红外接收电路、液晶显示电路、按键电路以及报警电路组成;从机电路是由从单片机、红外发射电路和按键电路等组成。本系统可以实现密码输入、密码显示、开锁、报警。本设计方案合理、实用、安全性好,可以在工农业生产、通讯技术、家用电器和门禁系统等多种领域中使用。
- 王侠王进军
- 关键词：单片机红外密码锁
- 指数型温度补偿BiCMOS带隙基准电压源设计
- 2012年
- 利用双极型管电流增益的温度特性,采用UMC0.6μm BiCMOS工艺设计了一款指数型温度补偿BiCMOS带隙基准电压源。测试结果表明:温度在10°C～100°C之间变化,带隙基准电压随温度变化最大偏移为2.5mV;电源电压在2.5～5.0V之间变化,带隙基准电压随电源电压直流变化最大偏移为0.95mV。该带隙基准电压具有较高的温度稳定性和电压稳定性。
- 王进军王侠
- 关键词：带隙基准温度系数
- 一种应用于LDO的CMOS误差放大器设计被引量：5
- 2007年
- 采用0.6μm标准CMOS工艺,设计并实现了可作为LDO内部误差放大器使用的一种宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器,该误差放大器具有较大的工作电压范围(2.5V～6.5V),而且对工艺参数不敏感,尤其对温度。模拟结果表明:在2.5V～6.5V工作电压范围内,共模输入范围为0.7V～1.465V,差模输入范围为±2.5VT,开环电压增益为AV≈75dB,相位裕度Φ≈65°,单位增益带宽GB≈9.4MHz,共模拟制比CMRR≈74dB,电源拟制比SPRR≈97.5dB,转换速率Sr≈18V/μs。
- 王进军田泽蒋敏王玲玲杨智峰詹科
- 关键词：误差放大器转换速率
- 一种简单的CMOS过温保护电路被引量：1
- 2008年
- 目的对已有的过温保护电路进行分析,提出一种结构简单,功耗较低的过温保护电路。方法引用峰值电流源作为启动电路,并尝试避免使用传统的迟滞比较器,采用了简单的结构实现比较功能。结果实现了一种简单的过温保护电路的设计。结论Hspice仿真结果表明该电路可以实现过温保护。
- 刘宁宁田泽李攀王进军张强
- 关键词：过温保护PTAT
- 基于动态零点补偿的低压降线性稳压芯片的研究与设计
- 本论文在分析一般负反馈系统稳定性的基础上，对LDO线性稳压器(LowDropout Linear Regulator)的稳定性进行了深入地分析研究和稳定性动态零点补偿设计。
首先，建立了LDO线性稳压器系统的交...
- 王进军
- 关键词：稳压器稳定性
- 文献传递
- 电流模式PWM升压DC-DC变换器斜升波发生器的设计被引量：5
- 2007年
- 简要分析了峰值电流控制模式升压变换器的不稳定性及其原因,阐述了斜坡补偿的基本原理和设计问题。对基本的多谐振荡器电路进行了改进和优化设计,设计了适用于峰值电流模式PWM升压型DC-DC变换器斜坡补偿电路中的CMOS斜升波发生器电路。该电路基于UMC BiCMOS工艺设计,经HSpice仿真验证达到了设计目标,性能有很大改善,满足了芯片的需要。
- 王瑾李攀王进军刘宁张强
- 关键词：峰值电流控制PWM斜坡补偿
- 基于逻辑努力的CMOS串行传输链延迟时间的优化分析与模拟被引量：1
- 2006年
- 基于逻辑努力(LogicEffort)分析优化了CMOS串行传输链延迟时间,给出了HSPICE模拟结果。结果表明:当逻辑链中每一级逻辑门具有相同的gihi,可以减小链的延迟时间,并且链中逻辑门的个数N≈lnFln(0.71p+2.82)时,通过逻辑链的总延迟可以进一步减小。
- 王进军田泽马小龙刘宁宁张强
- 关键词：延迟时间
- 与绝对温度成正比BiCMOS集成温度传感器设计
- 2013年
- 利用工作在弱反型区MOS管饱和漏电流的指数特性,设计了一款与绝对温度成正比(PTAT)BiCMOS集成温度传感器,主要电路由PTAT电流产生电路、启动电路和输出电路3部分组成,电路结构简单,体积小。测试结果表明,该温度传感器的精度小于0.5℃,线性度小于0.65%,灵敏度为2.5μA/℃,芯片面积为150μm×75μm,具有线性度及灵敏度高的优点,可广泛应于各类便携式电子产品中。
- 王进军王侠
- 关键词：集成温度传感器BICMOS
- 一种带有软启动的精密CMOS带隙基准设计
- 2007年
- 提出了一种新颖的带有软启动的高精密CMOS带隙基准电压源。采用UMC的0.6μm2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1.293 V,在1.5 V^4 V电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.27 mV,基准的最大静态电流约为19μA;在-40℃~120℃温度范围内,基准随温度的变化约为4.41 mV,产生的偏置电流基本上不受电源电压的影响,而与温度成线性关系;在电源电压为3 V时,基准的总电流约为14.25μA,功耗约为42.74μW;并且基准具有较高的电源抑制比和较低的噪声(小于500 nV/Hz1/2),基准的输出启动时间约为25μs。
- 张强田泽王进军刘宁王谨
- 关键词：带隙基准软启动电路温度补偿电源抑制比
