曾胜男
- 作品数：4 被引量：14H指数：3
- 供职机构：北京化工大学材料科学与工程学院化工资源有效利用国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- ITO掺杂浆料及薄膜的制备工艺和性能研究
- 铟锡氧化物/(Indium Tin Oxide，简称ITO/)薄膜是一种n型半导体，由于其优异的光电性能及热稳定性，被大量用于各种光电仪器设备中。
本文以金属铟和结晶四氯化锡为原料，采用溶胶-凝胶工艺，...
- 曾胜男
- 关键词：ITO薄膜光电性能
- 文献传递
- 分散剂PEG对ITO前驱物浆料稳定性能的影响被引量：6
- 2007年
- 以金属铟和结晶四氯化锡为原料,加入各种添加剂制备了稳定的ITO前驱物浆料。利用Zeta电位、扫描电镜、沉降试验研究了分散剂PEG对浆料稳定性能的影响。结果表明,分散剂PEG与ITO前驱物氢氧化物胶粒表面建立了较强的氢键,通过空间位阻稳定作用提高了浆料的稳定性;PEG的加入可使浆料中固体颗粒分散均匀,颗粒粒度主要分布在50～100nm之间;沉降试验和粘度的测定表明,浆料pH值在8.0,分散剂PEG用量在1.0%～2.0%(质量分数,下同),粘度在2.1～2.6mPa.s时,在沉降120h后的浆料中,固体颗粒沉降体积百分比在10%以内,能够保证浆料的相对稳定。
- 朴圣洁刘家祥曾胜男
- 关键词：分散剂粘度
- 锡掺杂量对胶体法制备ITO薄膜光电性能的影响被引量：5
- 2008年
- 以金属铟和锡盐为原料采用胶体法制备Sn掺杂三氧化二铟（ITO）前驱物浆料，通过提拉法在镀有SiO2薄层的浮法玻璃基片上制备透明导电ITO薄膜。研究了不同Sn掺杂量5％～20％（质量分数，下同）对ITO薄膜光电性能的影响。用分光光度计和四探针电阻仪检测ITO薄膜，样品的光电性能，并对其进行X射线衍射分析。结果表明：当Sn掺杂量为10％时薄膜的方电阻最小，为153Ω／□，不同Sn掺杂的ITO膜均为单一的立方铁锰矿结构；薄膜在可见光区平均透过率≥82％。基于对不同Sn掺杂量的ITO薄膜XRD数据分析，研究了ITO薄膜的结构特性，并讨论了薄膜的导电机制。结果表明：胶体法制备的ITO薄膜的自由载流子主要来源于氧缺位提供的导电电子。通过对ITO薄膜吸收系数的线性拟合表明，薄膜中自由电子由价带至导带的跃迁属于直接跃迁，且光学能隙值随Sn掺杂量的增加呈先增加后减小的趋势，在Sn掺杂量为15％时为最大值3．65eV。
- 张楠刘家祥曾胜男
- 关键词：ITO薄膜掺杂导电机制
- ITO薄膜的微观组织结构与光电性能研究被引量：3
- 2007年
- 以金属铟和结晶四氯化锡为原料,采用溶胶-凝胶工艺,用浸渍提拉法在石英玻璃基体上制备ITO透明导电薄膜。采用XRD,AFM,四探针电阻率仪,紫外分光光度计对薄膜的晶型结构,表面形貌,方电阻和透光率进行了测定和分析,研究了热处理温度和提拉层数对薄膜光电性能的影响。结果表明:随着热处理温度的升高,薄膜的方电阻显著降低,透光率也不断增大,但是当后处理温度大于750℃时,透光率略有降低,方电阻仍然降低。
- 曾胜男刘家祥张楠
- 关键词：溶胶-凝胶法光电性能
