刘雪珍
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
- 供职机构：大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 脉冲激光沉积制备Co掺杂ZnO薄膜的磁学性质研究被引量：4
- 2012年
- 采用脉冲激光沉积的方法,利用Zn0.95Co0.05O陶瓷靶,在不同氧气压力下制备Zn1-xCoxO薄膜.利用X射线衍射(XRD)、电子探针、吸收光谱对薄膜中Co含量、Co2+离子比例以及相组成进行了定量分析,研究了沉积过程中氧气压力对薄膜中Co含量的影响,定量讨论了薄膜中Co含量、Co2+离子比例以及相组成与薄膜室温磁性之间的关系,分析了薄膜磁性的起源.分析结果表明:薄膜中Co含量随氧气压力增大而减少,Co以替位Co2+离子为主.精细XRD分析表明,薄膜中存在纳米尺度的金属Co团簇,其含量与薄膜室温磁性估计的结果一致,Zn1-xCoxO薄膜的室温磁性归因于金属Co纳米团簇的超顺磁磁化机制.
- 刘雪珍鲍善永张欢欢马春雨徐晓明张庆瑜
- 关键词：稀磁半导体磁学性能
- Co掺杂ZnO稀磁半导体的微观结构、光学及磁学性质
- ZnO是一种具有纤锌矿晶体结构的Ⅱ-Ⅵ族化合物宽禁带直接带隙半导体,室温下禁带宽度为3.37 eV。与GaN(25meV)相比,ZnO激子束缚能高达60 meV,远高于室温的热离化能26 meV,理论上可以实现室温下受激...
- 刘雪珍
- 关键词：稀磁半导体磁学性能
- 文献传递
