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徐宏

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：华北理工大学冶金与能源学院现代冶金技术教育部重点实验室更多>>
发文基金：河北省自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 4篇电沉积
  • 4篇熔盐
  • 4篇渗硅
  • 4篇铌
  • 3篇脉冲电沉积
  • 1篇占空比
  • 1篇直流
  • 1篇脉冲频率
  • 1篇扩散激活能
  • 1篇激活能
  • 1篇高温氧化

机构

  • 4篇华北理工大学

作者

  • 4篇杨海丽
  • 4篇徐宏
  • 3篇冯策
  • 3篇王心悦

传媒

  • 1篇电镀与涂饰
  • 1篇铸造技术
  • 1篇热加工工艺
  • 1篇科学技术与工...

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
铌表面熔盐脉冲电沉积渗硅的扩散研究
2016年
采用熔盐脉冲电沉积方法在纯铌表面制备出渗硅层,对渗层的组织、成分及物相进行了检测,并对渗硅过程中硅的扩散行为进行研究。结果表明,渗硅层晶粒细小,无明显裂纹,均匀整齐,与基体结合紧密。渗硅层由单相Nb Si2组成。渗硅层厚度与沉积时间成抛物线关系,根据二者关系式计算出不同沉积温度下硅的扩散系数,并拟合得出脉冲电沉积时硅在铌基体中的扩散激活能为162 k J/mol。
王雁利杨海丽吴晔康徐宏
关键词：铌渗硅扩散激活能
占空比对铌表面熔盐脉冲电沉积渗硅的影响
2016年
采用熔盐脉冲电沉积方法在纯铌表面制备出渗硅层。研究了占空比对渗硅层成分、沉积速率、组织和相结构的影响,并考察了渗硅层的高温抗氧化性。结果表明,渗硅层成分不受占空比影响。随占空比的增大,渗硅层晶粒由细小变得粗大,渗硅层组织致密、平整。占空比对渗硅层相结构无影响,均由单相Nb Si2组成,并在(110)和(200)晶面上具有择优取向。Nb Si2渗硅层使得纯铌的高温抗氧化性能得以提高。
王雁利杨海丽吴晔康徐宏王心悦冯策
关键词：占空比铌渗硅
脉冲频率对铌表面熔盐电沉积渗硅的影响
2015年
采用熔盐脉冲电沉积法在纯铌表面制备出渗硅层。研究了脉冲频率对渗硅层沉积速率、成分、厚度、组织及相结构的影响,同时考察了渗硅层的高温抗氧化性。结果表明,频率对渗硅层成分无影响。随频率增大,渗硅层厚度和沉积速率均减小。频率由500Hz增大到1000 Hz时,渗硅层晶粒变得细小致密;超过1000 Hz后,晶粒则变得粗大。渗硅层相结构不受频率影响,均由单相NbSi_2组成,并在(110)和(200)晶面上具有择优取向。NbSi_2渗层的存在使得纯铌的高温抗氧化性能得以提高。
王雁利杨海丽吴晔康徐宏王心悦冯策
关键词：铌渗硅
电沉积方式对铌表面熔盐渗硅的影响被引量：1
2015年
采用由氯化钠、氯化钾、氟化钠和二氧化硅(摩尔比为1∶1∶3∶0.3)组成的熔盐,分别以直流、单脉冲、换向脉冲的电沉积方式在纯铌表面渗硅。对比研究了不同电沉积方式下所得渗硅层的厚度、成分、组织、相结构和抗氧化性。结果表明,渗硅层厚度按照单脉冲、换向脉冲、直流电沉积的方式依次降低。与直流和单脉冲电沉积相比,换向脉冲方式所得渗硅层的组织更加致密、平整。电沉积方式对渗硅层的相结构无影响,所得渗硅层均由单相Nb Si2组成,并在(110)和(200)晶面上择优生长。换向脉冲方式制备的渗硅层抗高温氧化性能最好。
王雁利杨海丽吴晔康徐宏王心悦冯策
关键词：铌渗硅熔盐电沉积直流高温氧化
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