何桢
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 富nc-SiC的SiO<,2>薄膜制备及其发光特性的研究
- SiC作为第三代半导体材料，其结构稳定，有较高的击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力以及较宽的禁带宽度，适合制作高温、高频、大功率及抗辐射器件，并因其优秀的光电性能，成为光电集成领域的优选材料。
本文采用...
- 何桢
- 关键词：反应溅射硅纳米晶击穿电场光电性能发光特性
- 文献传递
- SiO/SiO2超晶格结构界面发光的研究
- 2009年
- 利用热蒸发技术在硅衬底上制备了层厚不同的SiO/SiO2超晶格样品。对其光致发光谱进行研究发现,随着SiO/SiO2超晶格中SiO层厚度的增加,发光峰在400～600nm之间移动。研究表明,样品的发光中心来自于SiO/SiO2界面处的缺陷发光(界面态发光)。即在样品沉积的过程中,在SiO/SiO2的界面处由于晶格的不连续性,会形成大量的Si—O悬挂键,这些悬挂键本身相互结合可以形成一定数量的缺陷,同时由于O原子容易脱离Si原子的束缚而产生扩散,因此,这些悬挂键可以与扩散的O原子结合,随着SiO层厚度的增加,在SiO/SiO2的界面处先后出现WOB(O3≡Si—O—O.),NOV(O3≡Si—Si≡O3),E′中心(O≡Si.),NBOHC(O3≡Si—O.)等缺陷,这些缺陷在SiO层厚度增大的过程中对发光先后起到主导作用,从而使得发光峰产生红移。
- 王申伟衣立新何桢胡峰王永生
- 关键词：超晶格界面态光致发光
- 溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响被引量：5
- 2009年
- 利用磁控溅射技术溅射硅靶,通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了S iO/S iO2超晶格,热退火处理后超晶格中的S iO发生相分离得到硅纳米晶。通过比较不同退火方式对于硅纳米晶的形成的影响发现,管式炉退火处理的样品给出非常强的室温光致发光,其发光峰的峰位随着硅纳米晶尺寸的增大而红移,且管式炉退火比快速热退火更有利于硅纳米晶的形成。
- 胡峰衣立新王申伟高华何桢
- 关键词：硅纳米晶超晶格磁控溅射热退火
