胡炜
- 作品数：30 被引量：20H指数：3
- 供职机构：福州大学物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：福建省科技计划重点项目国家自然科学基金福建省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程机械工程更多>>
- 一种适用于大规模忆阻网络的忆阻器单元解析建模策略被引量：1
- 2021年
- 忆阻网络是一种基于忆阻器单元的大规模非线性电路,在下一代人工智能、生物电子、高性能存储器等新兴研究领域发挥着重要作用.描述忆阻器单元物理和电学特性的模型对忆阻网络的性能仿真具有显著影响.然而,现有模型主要为非解析模型,应用于忆阻网络分析时可能存在收敛性问题.因此,提出了一种基于同伦分析法(homotopy analysis method,HAM)的忆阻器单元解析建模策略,该策略具有解析性和收敛性优化的特点,可提高忆阻器单元和相应忆阻网络的收敛性.此外,还提出了一种面向忆阻器单元模型的验证准则,以验证模型在大规模忆阻网络中的适用性.通过忆阻器单元和忆阻矩阵网络的长时演化实验以及与传统非解析(数值)方法的比较,验证了所提策略的解析性和收敛性优势;利用不同类型忆阻器单元和输入的实验,验证了该策略的扩展性.进一步地,基于上述实验,揭示了忆阻网络仿真出现收敛性问题的潜在原因.该策略可应用于基于忆阻网络的新兴研究.
- 胡炜廖建彬杜永乾
- BiSb/楔形铁磁结构中的自旋轨道矩无场切换
- 2024年
- 本工作通过微磁学模拟数值计算证实了以超低电流密度驱动拓扑绝缘体/楔形铁磁异质结构实现确定性无场切换是可行的。此外,我们研究了楔形铁磁层尺寸、界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用、类场转矩和倾斜垂直磁各向异性的偏离极角等因素对自旋轨道矩无场切换的影响。综合优化各个因素后,拓扑绝缘体(BiSb)/楔形铁磁异质结构的临界切换电流密度最低可降至9.0×10^(6) A/cm^(2),比传统重金属/铁磁结构的临界切换电流密度降低了1~2个数量级。这项研究对于推动低功耗自旋轨道矩磁性随机存储器的产业化应用具有重要的意义。
- 邱鹏朱敏敏胡炜张海忠
- 关键词：垂直磁各向异性拓扑绝缘体
- 高精度动态比较器的测试方法及测试电路
- 本发明涉及一种高精度动态比较器的测试方法，首先，通过一钟控SR锁存器判断该比较器输出状态，并将判断后的输出信号输入一单位增益放大器；其次，提供一二阶积分器，对所述单位增益放大器输出经过缓冲器后信号的正、负进行正向积分或反...
- 胡炜何明华王法翔张志晓
- 文献传递
- 一种高精度电压比较器
- 本实用新型涉及一种高精度电压比较器，其特征在于：包括模拟缓冲器、偏置电路、时钟控制电路以及依次级联的第一前置放大器、第二前置放大器、第三前置放大器、第四前置放大器和后级Latch锁存再生电路；所述的第一前置放大器、第二前...
- 胡炜何明华王法翔张志晓
- 文献传递
- 高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路
- 本实用新型涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路，其特征在于：包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5，电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2...
- 胡炜许育森黄继伟黄凤英林安安奇
- 文献传递
- 高电源抑制比、低功耗基准电流及基准电压产生电路
- 本发明涉及一种高电源抑制比、低功耗基准电流和基准电压产生电路，其特征在于：包括PMOS管P1、P2和P3以及NMOS管N1、N2、N3、N4和N5，电源VDD连接所述N1的栅极、所述P1、P2和P3的源极以及所述N2和N...
- 胡炜许育森黄继伟黄凤英林安安奇
- 文献传递
- 一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路
- 本发明涉及一种新型的低功耗无电阻型基准电压产生电路，包括一启动单元，所述启动单元经正温度系数电压产生单元和负温度系数电压产生单元连接至求和单元；启动单元、正温度系数电压产生单元、负温度系数电压产生单元和求和单元均连接VD...
- 胡炜池上升许育森杨圣楠
- 文献传递
- 一种新型高线性度采样开关的设计
- 2011年
- 设计了一种应用于流水线ADC中的新型高线性度采样开关,该开关采用比较器、反相器链、CMOS对管开关,自举电容等实现,具有较高的线性度。其基本原理为:使MOS管栅极电压实时跟随输入电压,保证其差值恒定,从而实现整体采样保持电路较高的无杂散动态范围。通过Flip-around型采样保持电路进行验证,其无杂散动态范围可达91 dB,满足设计要求。
- 胡炜何明华
- 关键词：采样开关高线性度
- 一种应用于物联网传感器的伪三阶Delta-Sigma调制器
- 2024年
- 针对物联网传感器难以同时满足高分辨率与低功耗的瓶颈问题,本文设计了一种伪三阶离散时间delta-sigma调制器.该架构将一阶无源噪声整形SAR(Successive Approximation Register)量化器嵌入传统二阶delta-sigma调制器以实现更强的噪声整形能力.本文设计允许系统在更低的过采样率(Over Sampling Ratio,OSR)下获取更高的峰值SQNR(Signal-to-Quantizing Noise Ratio),有效缓解了系统精度和功耗之间的设计矛盾,并且减少了有源积分器的使用.针对传统有源加法器高功耗和无源加法器存在衰减不确定性的问题,本文提出了一种新型前馈求和量化电路,它具有对衰减不敏感的优势并且降低了第二级有源积分器的驱动压力,这进一步降低了系统的功耗.本文提出的delta-sigma调制器采用180 nm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺制造并测试.在电源电压1.4 V下,芯片测试功耗为47.2μW.在带宽为8 kHz的测试条件下,调制器的DR(Dynamic Range)、峰值SNDR(Signal-to-Noise and Distortion Ratio)和SFDR(Spurious-Free Dynamic Range)分别为97.2 dB,96.6 dB和114.4 dB.因此,Schreier和Walden的SNDR FoM(Figure of Merit)优值达到了178.9 dB和0.053 pJ/step.本文提出的伪三阶delta-sigma调制器在功耗和分辨率之间实现了较好的权衡,为物联网领域的低功耗高分辨率调制器设计提供了较好的解决方案.
- 魏聪黄黎杰胡炜魏榕山
- 关键词：物联网DELTA-SIGMA调制器低功耗高分辨率
- 应用于RRAM存算架构的多比特量化低延时电压灵敏放大器
- 本发明提供了应用于RRAM存算架构的多比特量化低延时电压灵敏放大器，包括电压采样模块、低位感应模块、低位检测模块以及锁存器；本发明通过引入两个参考电压作为比较基准，在一个量化周期内实现了2‑bit的数字信号输出，减少了传...
- 胡炜张航泽
