李力
- 作品数：7 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院太阳能系统研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金NSFC-广东联合基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信经济管理动力工程及工程热物理更多>>
- IBC太阳电池背面场和发射极的二维模拟分析
- IBC(叉指状背接触背结)太阳电池是一种高效n型晶体硅电池,具有典型的二维结构.本文使用一维模拟软件PCID模拟得到不同方阻发射极的饱和电流密度,将其作为边界条件运用到二维模拟软件PC2D中,模拟得到背面场(n+区)、隔...
- 姜辰明李力易施光王殿磊沈辉
- 关键词：电学性能计算机软件
- 文献传递
- FED的进展及国内外产业概况被引量：3
- 2010年
- 21世纪，全球进入了信息化时代，平板显示器成为信息化社会的关键性器件之一，成为国内外科技工作者的研究焦点。其中，FED（Field Emission Display，场发射显示器）作为一种极具发展前景的新型显示器件，更加引起了人们的广泛关注。它的工作原理是利用图案化的场发射材料作电子发射源放置于阴极，
- 刘飞李力苏赞加莫富尧邓少芝陈军许宁生
- 关键词：FEDDISPLAY场发射显示器显示器件信息化时代信息化社会
- 大面积超长氮化铝纳米线的制备及场发射特性研究
- 本文报道了一种通过直接氮化Al粉合成氮化铝(AlN)纳米线的方法。这种方法无需仟何催化剂，并且可以获得大面积单一形貌的AlN纳米线。所制备的AlN纳米线的平均长度超过20μm，直径在30-125 nm之间，为沿着方向生长...
- 苏赞加刘飞李力莫富尧金顺玉陈军邓少芝许宁生
- 关键词：场发射特性电流密度
- 文献传递
- 硼纳米线的可控制备及其单根纳米结构的输运和场发射特性研究
- ＜正＞近年来,随着一维纳米材料在微纳电子器件领域研究的快速发展,它们引起了人们的广泛关注。而硼一维纳米结构则由于其特殊的物理和化学特性,成为了许多科技工作者的研究目标。在其在微纳电子
- 刘飞苏赞加李力莫富尧陈军邓少芝许宁生
- 关键词：输运特性场发射特性
- 文献传递
- 图案化氧化钨纳米线阵列的低温制备工艺及其场发射特性研究
- 2012年
- 氧化钨纳米线由于具有长径比较大、导电性好、阈值电场较低、可承受的电流较高等优点,因此在场致电子发射器件中受到人们的广泛关注。但是在氧化钨纳米结构研究发展的过程中,出现了一些技术难题,比如制备温度高(>800℃),制备的氧化钨通常混合多种化学相而导致物性不均匀等,所以束缚了氧化钨纳米线在场发射领域的快速发展。本文采用磁控溅射技术结合化学气相沉积技术在500℃下分别实现了高纯相的WO2和WO3纳米线阵列的定域生长。场发射特性研究结果表明:所制备的WO3纳米线阵列的开启电场低至0.65MV/m,阈值电场约为2.9MV/m,最大电流密度达到18.3A/cm2;WO2纳米线阵列的开启电场低至0.8MV/m,阈值电场为2.46MV/m,最大电流密度达到12.1mA/cm2。这表明在低温下制备的氧化钨纳米线阵列在场致电子发射领域具有非常广阔的应用前景。
- 刘飞郭同义李力李立方甘海波陈军邓少芝许宁生
- 关键词：场发射特性
- 大面积超长氮化铝纳米线的制备及场发射特性研究被引量：2
- 2010年
- 报道了一种通过直接氮化Al粉合成氮化铝(AlN)纳米线的方法。该方法无需任何催化剂,并且可以获得大面积的单一形貌的AlN纳米线。所制备的AlN纳米线的平均长度超过20μm,直径为30～125nm,是沿着[001]方向生长的单晶六方纤锌矿结构。场发射特性测试结果表明,AlN超长纳米线的开启电场为6.3V/μm,阈值电场为12.2V/μm,最大电流密度达1440μA/cm2。这暗示着AlN超长纳米线是一种很有潜力的冷阴极纳米材料。
- 苏赞加刘飞李力莫富尧金顺玉陈军邓少芝许宁生
- 关键词：无催化剂场发射
- 基于IBC太阳电池的二氧化硅掩膜研究被引量：2
- 2014年
- 在叉指状背接触太阳电池(IBC电池)的制作过程中,一种办法是以二氧化硅作为掩膜阻挡磷扩散进入已经扩硼的区域,在有二氧化硅保护的区域,p+区保持不变,在没有二氧化硅保护的地方磷扩散进入形成n+背表面场,从而实现在不同区域的不同扩散。该文是研究在不同的的温度下热氧化得到的二氧化硅氧化层的厚度,厚度从0 nm到124 nm,然后通过测量磷扩散前后方阻变化和ECV图像,研究不同厚度下的二氧化硅掩膜对磷扩散的阻挡作用。同时,还测量了在不同情况下硅片的少子寿命,以确定一个最佳的热氧化二氧化硅工艺,为IBC电池工艺的后续研究提供参考。
- 李力姜辰明黄铭沈辉
- 关键词：方阻少子寿命
