本文提出了一种新型的F类高效率功率放大器微带匹配拓扑。该拓扑简单紧凑且考虑了功率三极管输出端寄生效应，使得F类设计理论分析更贴合实际。基于提出的拓扑结构，采用商用10WGaNHEMT（Gallium-Nitrogen High Electron Mobility Transistor）进行了仿真与硬件实现。测试结果表明：当漏极偏置27V，工作频率2．995GHz时，实测输出功率为37．3dBm，功率附加效率为72．9％。在15～30V的偏置范围内，漏极调制效率达到68．9％以上。实测与仿真结果的吻合，很好的验证了拓扑的可行性。
