杨文彬
- 作品数：11 被引量：44H指数：5
- 供职机构：西北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金长江学者和创新团队发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>
- 沉积温度对LPCVD-BCx形貌和成键的影响
- 以BCl-CH-H为反应体系,采用LPCVD法制备BC材料。利用扫描电子显微镜(SEM)观察沉积产物的微观形貌,X射线光电子能谱(XPS)分析BC材料的元素含量和化学结构,结合化学反应过程,探讨了导致沉积产物形貌、成分和...
- 刘永胜张立同成来飞徐永东杨文彬
- 关键词：沉积温度微结构化学结构
- 文献传递
- 稀释气体流量对低压化学气相沉积硼掺碳涂层的影响被引量：1
- 2008年
- 以BCl3-C3H6-H2为气相反应体系,采用低压化学气相沉积制备硼掺碳涂层。研究了Ar气稀释流量对硼掺碳涂层沉积速度、形貌、组成和键合状态的影响。结果表明,不同稀释气体流量作用下,硼掺碳的沉积速度没有明显变化,产物形貌由致密向层状转变,硼元素含量稍有减少而碳元素含量稍有增加。沉积产物中B元素的键合方式以B-sub-C和BC2O为主。结合化学反应和气体扩散,探讨了稀释气体的作用机制,表明PyC形成反应的主导作用导致稀释气体流量对沉积速度作用不明显,而BCl3和C3H6在Ar气中扩散系数的差异导致产物形貌和组成发生变化。
- 涂建勇刘永胜成来飞张立同杨文彬徐永东张伟华
- 低压化学气相沉积制备掺硼碳薄膜及其表征被引量：10
- 2007年
- 以 BCl3和 C3H6分别作为低压化学气相沉积制备掺硼碳材料的硼源和碳源,采用热壁化学气相沉积炉,于 1 100 ℃在碳纤维基底上制备了掺硼碳薄膜。采用扫描电镜、X 射线衍射和 X 射线光电子能谱对样品作了表征。结果表明:产物表面光滑,断面呈细密的片层状结构,产物由 B4C 和石墨化程度较高的热解碳组成。采用掺硼碳薄膜中含有 15%(摩尔分数,下同)硼。硼原子化学键结合状态共有 5 种,分别是:B4C 的中的 B—C键,硼原子替代固溶在类石墨结构中形成的 B—C键,BC2O 和 BCO2结构中 B—C键和 B—O键的混合态,以及 B2O3中的 B—O键。其中超过 40%的硼原子以替代固溶的形式存在于热解碳的类石墨结构中。
- 杨文彬张立同成来飞徐永东刘永胜
- 关键词：片层结构X射线光电子能谱X射线衍射
- 一种机械电子生产用除尘装置
- 本实用新型公开了一种机械电子生产用除尘装置，涉及机械电子技术领域，包括箱体，所述箱体底部转动连接移动机构，箱体上固定连接吸风机构，吸风机构上固定连接过滤网和灰尘收集机构，灰尘收集机构固定连接进风管，进风管固定连接连接头，...
- 张文凯赫怡晨陈彦冬杨文彬刘江华
- 文献传递
- CVI B-C基体改性2D C/SiC在低温湿氧中的自愈合行为被引量：5
- 2010年
- 针对C/SiC低温氧化易失效的不足,研究了CVI B-C基体改性2D C/SiC在700℃湿氧中100MPa下加载至60h的氧化行为,利用SEM和TEM观察了改性材料不同服役时间的微结构特征,揭示了演变规律.研究表明,CVI B-C基体改性使C/SiC低温抗氧化能力显著提升.基体裂纹及其在应力加载下的开裂均为氧化气体提供进入通道,而后可被B-C氧化产物B2O3封填,抑制内部C消耗.CVI B-C与其氧化产物一同参与缺陷愈合.在60h内,B-C改性层愈合能力尚未完全发挥,可服役更长时间.
- 李思维张立同刘永胜成来飞冯祖德栾新刚张伟华杨文彬
- 关键词：C/SIC复合材料基体改性CVI自愈合
- 铱-热解碳-碳化硅复合涂层体系质量研究
- Ir具有优异的高温抗氧化性能,Ir-Re体系液体火箭发动机喷管已取得初步应用,但Re在Ir中的快速扩散会导致喷管失效.本文针对Ir-PyC-SiC复合涂层体系用于C/SiC防氧化的方案,采用SEM,XRD和EDS等分析手...
- 杨文彬
- 关键词：金属有机物化学气相沉积高温处理抗氧化性能
- 文献传递
- MOCVD法制备多层Ir涂层的显微结构被引量：13
- 2006年
- 以三乙酰丙酮铱为先驱体,采用金属有机物化学气相沉积法,通过变温多次沉积在石英基片和热解碳层上制备出多层Ir涂层。XRD研究表明,Ir涂层呈多晶态。试样冲击断裂后,SEM观察横截面显示,涂层与基片以及涂层之间结合良好,无层间开裂发生。内层涂层虽然有孔隙缺陷,但经多次沉积,后继制备的涂层能很好地将其封填。
- 杨文彬张立同成来飞华云峰徐永东
- 关键词：金属有机物化学气相沉积多层结构
- C/SiC复合材料表面Si-C-B自愈合涂层的制备与抗氧化行为被引量：11
- 2008年
- 采用化学气相沉积法(CVD)制备单质B和BC_x分别对SiC涂层进行改性,在二维碳纤维增强碳化硅(2D C/SiC)复合材料表面制备SiC/B/SiC和SiC/BC_x/SiC两种多层自愈合涂层,并利用扫描电镜对多层涂层表面和断面进行显微分析.700℃静态空气条件下氧化结果表明:CVD-B和CVD-BC_x改性层氧化后生成的B_2O_3玻璃相可以较好地封填涂层微裂纹,氧化动力学受氧通过微裂纹和B_2O_3玻璃层的扩散共同控制;SiC/BC_x/SiC-C/SiC复合材料氧化过程中氧化失重率更小,氧化10h后的强度保持率更高.
- 张伟华成来飞张立同杨文彬刘永胜徐永东
- 金属有机物化学气相沉积法制备铱涂层的形貌与结构分析被引量：9
- 2006年
- 采用金属有机物化学气相沉积法,在不通入活性气体的条件下,研究了三乙酰丙酮铱先驱体挥发温度对铱涂层显微结构的影响。在500℃的金属铌和陶瓷石英基片上制备出亮银白色的多晶相铱涂层。分析表明:铌和石英基片上沉积的铱涂层均由两层不同结构的薄膜构成,220℃挥发先驱体沉积出由纳米级颗粒疏松堆积构成的涂层,185℃挥发先驱体沉积出致密的涂层。铱涂层表面光滑均匀,无明显缺陷。
- 杨文彬张立同成来飞华云峰张钧
- 关键词：金属有机物化学气相沉积显微组织
- CVD法制备B-C体系材料被引量：2
- 2007年
- 以BCl3-C3H6-H2为反应体系,采用化学气相沉积法(CVD)在炭纤维束上制备了B-C体系材料,研究了沉积温度的影响。利用SEM和XPS对BCx层的微结构、元素含量和化学结构进行表征,并结合化学反应过程,探讨了导致沉积产物形貌、成分和键结合状态的差异原因。结果表明,沉积温度对B-C层生长速率和断面形貌均有较大影响:900℃沉积时,沉积较慢,断面平整;1000℃时,沉积速度加快,断面呈显著片层状结构;B-C层内B元素原子含量随沉积温度升高而降低;沉积产物内B元素键结合状态有:B4C、B替代C、BC2O、BCO2和B2O3。沉积温度不仅影响B元素键结合状态,而且还影响各结合状态的含量。B4C在900℃时含量为0,在1000℃时达到最大值32.5 at%;B替代C在900℃时含量最高,然后随温度升高而下降,在1050℃时其含量又有所升高。
- 杨文彬张立同成来飞刘永胜徐永东
- 关键词：CVD沉积温度微结构XPS
