李晖
- 作品数：6 被引量：14H指数：3
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家中长期科技发展规划重大专项天津市自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- ULSI铜互连钽阻挡层的CMP浆料研究(英文)
- 随着ULSI的特征尺寸减小,铜成为深亚微米技术中(0.18μm及以下)硅材料上的布线金属,钽阻挡层是防止铜向硅及介质扩散的最佳选择。铜CMP工艺中,由于铜与钽的去除速率的差别常会产生碟形坑,而且金属离子污染也是一个难题。...
- 檀柏梅牛新环周建伟刘玉岭李晖
- 关键词：化学机械抛光浆料去除速率选择性
- 文献传递
- 锑化铟晶片碱性化学机械抛光后的表面洁净方法
- 本发明公开了一种锑化铟晶片碱性化学机械抛光后的表面洁净方法，旨在提供一种能够降低锑化铟晶片碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高晶片表面平整度和洁净度的方法。取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入表...
- 刘玉岭王娟李晖
- 低压力Cu布线CMP速率的研究被引量：4
- 2010年
- 采用低介电常数材料(低k介质)作为Cu布线中的介质层,已经成为集成电路技术发展的必然趋势。由于低k介质的低耐压性,加工的机械强度必须降低,这对传统化学机械抛光(CMP)工艺提出了挑战。通过对CMP过程的机理分析,提出了影响低机械强度下Cu布线CMP速率的主要因素,详细分析了CMP过程中磨料体积分数、氧化剂体积分数、FA/O螯合剂体积分数等参数对去除速率的影响。在4.33 kPa的低压下通过实验得出,在磨料体积分数为20%,氧化剂体积分数为3%,FA/O螯合剂体积分数为1.5%时可以获得最佳的去除速率及良好的速率一致性。
- 刘海晓刘玉岭刘效岩李晖王辰伟
- 关键词：化学机械抛光铜布线抛光速率
- 锑化铟晶片碱性化学机械抛光后的表面洁净方法
- 本发明公开了一种锑化铟晶片碱性化学机械抛光后的表面洁净方法，旨在提供一种能够降低锑化铟晶片碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方法简单易行，能够提高晶片表面平整度和洁净度的方法。取电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入表...
- 刘玉岭王娟李晖
- 文献传递
- Cu CMP抛光液对速率的影响分析及优化被引量：4
- 2010年
- 在超大规模集成电路多层Cu布线CMP工艺中,抛光液是决定抛光速率、抛光表面状态和平坦化能力的重要因素。采用Plackett-Burman(PB)筛选实验对抛光液成分(磨料、氧化剂、活性剂、螯合剂)进行显著性因素分析,得出磨料、FA/O螯合剂Ⅱ型和氧化剂为显著性因素,并采用响应曲面法对其进行优化并建立了模型,最终得到以去除速率为评价条件的综合最优抛光液配比,为Cu抛光液配比优化及对CMP的进一步发展提供了新的思路与途径。
- 李晖刘玉岭刘效岩刘海晓胡轶
- 关键词：抛光液化学机械抛光响应曲面法去除速率
- 铜互连线低压无磨料化学机械平坦化技术被引量：6
- 2012年
- 在低压无磨料条件下,利用碱性FA/O型螯合剂具有极强螯合能力的特性,对铜互连线进行化学机械平坦化,获得了高抛光速率和表面一致性。提出了铜表面低压无磨料抛光技术的平坦化原理,在分析了抛光液化学组分与铜化学反应机理的基础上,对抛光液中的主要成分FA/O型螯合剂、氧化剂的配比和抛光工艺参数压力、抛光机转速进行了研究。结果表明:在压力为6.34kPa和抛光机转速为60r/min时,抛光液中添加5%螯合剂与1%氧化剂(体积分数,下同),抛光速率为1825nm/min,表面非均匀性为0.15。
- 刘效岩刘玉岭梁艳胡轶刘海晓李晖
- 关键词：铜互连线低压化学机械平坦化
