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朱秀云

作品数:5 被引量:2H指数:1
供职机构:河北科技师范学院理化学院物理系更多>>
发文基金:中国博士后科学基金博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇第一性原理
  • 3篇第一性原理计...
  • 2篇相变
  • 1篇单轴
  • 1篇结构相变
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇SI
  • 1篇SRS
  • 1篇MG2SI
  • 1篇MG_2SI

机构

  • 5篇河北科技师范...
  • 1篇东北大学
  • 1篇白城师范学院
  • 1篇吉林师范大学
  • 1篇吉林大学
  • 1篇燕山大学

作者

  • 5篇朱秀云
  • 4篇张启周
  • 3篇郝爱民
  • 2篇张立新
  • 2篇王晓明
  • 1篇杨晓翠
  • 1篇王冀霞
  • 1篇崔晓岩
  • 1篇赵瑞
  • 1篇朱岩
  • 1篇刘鑫
  • 1篇吴宝嘉
  • 1篇彭刚
  • 1篇辛伟
  • 1篇李宝文
  • 1篇马凤仙

传媒

  • 2篇白城师范学院...
  • 1篇大学物理
  • 1篇吉林大学学报...
  • 1篇河北科技师范...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2012
  • 3篇2009
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
高压下Si的结构转变与弹性性质的第一性原理计算被引量:1
2009年
利用基于密度泛函的第一性原理,计算了在压力作用下Si的结构相变和弹性性质。晶胞总能的计算结果表明,Si在11.7 GPa压力下发生了从立方金刚石结构(Si-Ⅰ)到四方结构(Si-Ⅱ)的转变。能带结构和态密度的计算结果显示,Si-Ⅰ是具有间接带隙的半导体,带隙为0.71 eV,Si-Ⅱ呈现金属的能带结构特性;Si-Ⅰ和Si-Ⅱ费米面附近的能带结构主要来自于2p电子的贡献。高压下Si-Ⅰ的弹性系数计算结果表明,弹性系数C11,C12和C44均随压力的增加呈现线性增大的规律。
辛伟刘鑫王晓明张立新朱秀云张启周郝爱民
关键词:第一性原理计算
在单轴微应变下Mg_2Si的电子性能变化
2016年
本文基于密度泛函框架采用全电势线性缀加平面波加上局域轨道方法,研究在-3%—3%单轴应变下Mg_2Si的电子性能变化规律.通过能带结构和电子态密度的分析发现,在应变的作用下,Mg2Si的带隙逐渐变小,并且简并能带发生劈裂.Mg_2Si在压应变作用下,其电子性能变化明显,并且导带对压应变的响应更为明显.对Mg_2Si进行电子改性的研究可从压应变的角度出发.
朱岩王冀霞朱秀云
关键词:MG2SI
高级相变平衡曲线斜率被引量:1
2012年
在总结一级和二级相变的特征与规律的基础上,根据各级相变的特征,推导了三级和四级相变中平衡曲线斜率的数学表达式,最后导出了n级相变平衡曲线斜率的普遍表达式.
郝爱民马凤仙张启周朱秀云
利用第一性原理计算HgSe的结构相变和光学性质
2009年
利用基于密度泛函的第一性原理,计算了高压下HgSe的结构相变和光学性质,并给出导带与价带之间跃迁激发峰的位置.结果表明,HgSe的压致结构转变顺序为闪锌矿结构(HgSe-Ⅰ)→朱砂相结构(HgSe-Ⅱ)→岩盐矿结构(HgSe-Ⅲ)→正交结构(HgSe-Ⅳ),相变压力分别为1.1,15.1,40.1 GPa.
赵瑞张启周朱秀云彭刚吴宝嘉崔晓岩郝爱民
关键词:第一性原理计算相变光学性质
高压下SrS结构转变的第一性原理计算
2009年
利用基于密度泛函(DFT)第一性原理,计算了SrS的压致结构转变和压力对能带结构和态密度的影响.计算结果显示:在18.2GPa压力点,SrS从NaCl(B1)结构转变为CsCl(B2)结构,晶胞体积减少10.8%;B1和B2结构均为间接带隙,带隙随着压力的增加而减小;随着结构的转变,带隙发生不连续的变化.同时,我们分析了压力对SrS两种结构的能带结构和态密度的影响.
张启周杨晓翠张立新李宝文朱秀云王晓明
关键词:第一性原理计算
共1页<1>
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