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方运
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10
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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北京市自然科学基金
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文化科学
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合作作者
张宝顺
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
杨辉
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
王逸群
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
王玮
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
朱建军
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
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方运
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具有多重环带结构分布图形的衬底及其制法与应用
本发明揭示了一种具有多重环带结构的图形LED衬底及其制备方法和应用,所述图形LED衬底的图形由阵列排布的多个多重环带单胞结构组成,每一个多重环带单胞结构包含多个同心的由大到小嵌套的环形凸起脊,相邻环形凸起脊之间由曲面结构...
王敏锐
方运
张宝顺
杨辉
文献传递
具有垂直光路结构的薄膜应力测量装置及其应用
本发明揭示了一种具有垂直光路结构的薄膜应力测量装置及其应用。该薄膜应力测量装置包括多光束图形发生器以及光束位置探测器,所述多光束图形发生器与所述光束位置探测器互相垂直排布。本发明提高了薄膜应力测量精度,简化了薄膜应力测量...
方运
王逸群
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张永红
张宝顺
文献传递
降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用
本发明涉及一种降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用。该微纳米结构的图形由阵列排布的复数个封闭单元组成,每一封闭单元为由微纳米凸起脊相互连接成的三角形结构或六边形结构,且每一封闭单元在平行于衬底表面的平面内形成的...
王敏锐
方运
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退火对Ge掺杂SiO2薄膜的影响
2013年
用等离子体增强化学气相淀积制备了Ge掺杂SiO2薄膜,并对薄膜进行了不同温度的退火处理。采用棱镜耦合仪、原子力显微镜和傅里叶变换红外光谱分析技术研究了不同退火温度对Ge掺杂SiO2薄膜性质的影响。通过1 100℃退火处理后,正的折射率变化量和负的体积变化量随着GeH4流量增加而增大,Ge-O-Ge键增多;而通过900℃退火处理后,折射率没有随着GeH4流量增加而增大;薄膜的表面粗糙度随着退火温度升高而降低。研究结果表明,SiO2薄膜中Ge掺杂过量,其折射率反常下降;通过1 100℃退火处理后,折射率随着GeH4流量增加而增大,折射率的增大主要是由于薄膜密实化和Ge-O-Ge键的形成。
汪加兴
韩军
邢艳辉
邓旭光
王逸群
邢政
姜春宇
方运
关键词:
折射率
退火
具有垂直光路结构的薄膜应力测量装置及其应用
本发明揭示了一种具有垂直光路结构的薄膜应力测量装置及其应用。该薄膜应力测量装置包括多光束图形发生器以及光束位置探测器,所述多光束图形发生器与所述光束位置探测器互相垂直排布。本发明提高了薄膜应力测量精度,简化了薄膜应力测量...
方运
王逸群
王玮
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张宝顺
具多重环带结构分布图形的衬底及其制法与应用
本发明揭示了一种具有多重环带结构的图形衬底及其制备方法和应用,所述图形衬底的图形由阵列排布的复数个多重环带单胞结构组成,每一个多重环带单胞结构包含复数个同心的由大到小嵌套的环形凸起脊,相邻环形凸起脊之间由平面结构或曲面结...
王敏锐
方运
张宝顺
杨辉
提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用
一种提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用。该微纳米结构由阵列排布的多个多边形图形单元组成,每一图形单元包括多条彼此孤立的条状微纳米凸起脊,每一凸起脊对应于多边形的一边,且相邻凸起脊之间由平面结构连接;该凸起脊的两端...
王敏锐
方运
张宝顺
杨辉
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降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用
本发明涉及一种降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用。该微纳米结构的图形由阵列排布的复数个封闭单元组成,每一封闭单元为由微纳米凸起脊相互连接成的三角形结构或六边形结构,且每一封闭单元在平行于衬底表面的平面内形成的...
王敏锐
方运
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阵列光束薄膜应力测量装置
本发明揭示了一种阵列光束薄膜应力测量装置,其包括多光束图形发生器和光束位置探测器。所述多光束图形发生器包括激光器、倒置望远准直光学系统、分束器和准直透镜。所述分束器可产生阵列光束,所述阵列光束由阵列排布的复数个相互平行的...
方运
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提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用
一种提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用。该微纳米结构由阵列排布的多个多边形图形单元组成,每一图形单元包括多条彼此孤立的条状微纳米凸起脊,每一凸起脊对应于多边形的一边,且相邻凸起脊之间由平面结构连接;该凸起脊的两端...
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