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时文华

作品数：56 被引量：11H指数：3
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 48篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇文化科学
  • 2篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 19篇刻蚀
  • 11篇光刻
  • 7篇掩膜
  • 6篇电极
  • 6篇探测器
  • 6篇光刻版
  • 6篇红外
  • 6篇红外探测
  • 5篇刻蚀工艺
  • 5篇光电
  • 5篇光谱
  • 5篇半导体
  • 4篇带通
  • 4篇带通滤波
  • 4篇带通滤波器
  • 4篇单次
  • 4篇电子束
  • 4篇制作方法
  • 4篇线条
  • 4篇芯片

机构

  • 56篇中国科学院
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇重庆师范大学
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 56篇时文华
  • 36篇张宝顺
  • 15篇付思齐
  • 10篇刘彬
  • 10篇熊敏
  • 8篇曾中明
  • 6篇苏瑞巩
  • 6篇王逸群
  • 5篇张晓东
  • 5篇林文魁
  • 4篇李晓伟
  • 4篇董旭
  • 4篇曾春红
  • 4篇张学敏
  • 4篇黄宏娟
  • 3篇邢政
  • 3篇于国浩
  • 2篇侯克玉
  • 2篇董艳
  • 2篇周桃飞

传媒

  • 1篇光电子．激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇重庆理工大学...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇2010(第...

年份

  • 6篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 4篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 5篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 5篇2015
  • 2篇2014
  • 6篇2013
  • 9篇2012
  • 4篇2010
共 56 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体微台面列阵的测量装置和方法
本发明提出一种半导体微台面列阵的测量装置和方法，该方法基于宽谱热光源照明干涉仪的光学测量装置与方法，结合光学相干层析技术与衍射度量技术的特点，可无损、快速的测量微台面列阵的表面形貌并准确提取微台面列阵的周期、横向尺寸与深...
熊敏赵迎春董旭时文华张宝顺
文献传递
微流道散热芯片及其制备方法
本发明提供一种微流道散热芯片及其制备方法，微流道散热芯片包括硅基本体以及设置于所述硅基本体上的隔离层，所述硅基本体顶部开设有隔离槽，所述隔离槽向下延伸出第一微流通道、第二微流通道以及第三微流通道，所述第一微流通道以及所述...
付思齐时文华李翔刘彬缪小虎张宝顺
文献传递
低损耗三维硅波导交叉结构及其制作方法
本发明公开了一种低损耗三维硅波导交叉结构，其包括：交叉设置且彼此无直接接触的下光波导和上光波导；下波导包覆层，包覆在下光波导上，并作为上、下光波导之间的上隔离层；以及，上波导包覆层，包覆在上光波导上。本发明提供的制作所述...
赵美珍时文华
文献传递
一种电子束光刻加工圆形阵列的方法
本发明涉及一种电子束光刻加工圆形阵列的方法。旨在减小加工弧形线条时的数据量，从而缩短数据处理的时间。本发明充分利用了高斯型束斑矢量扫描式电子束光刻机的工作模式特点，通过设置特定的扫描步长以及曝光剂量，得到不同直径，不同间...
时文华钟飞王逸群曾春红董艳周健
文献传递
一种光纤准直器夹具的制造方法及光纤准直器夹具
本发明公开了一种光纤准直器夹具的制造方法，包括：S1、对双抛硅片作热氧化处理生成热氧化层；S2、去除双抛硅片的第一面的第一热氧化层，并在与所述第一面相对的第二面的第二热氧化层上沉积氮化硅薄膜层；S3、自所述双抛硅片的所述...
付思齐时文华刘彬缪小虎张宝顺
文献传递
低温ICP-CVD氮化硅薄膜沉积技术及其应用
随着集成电路和半导体微纳加工技术的不断发展，半导体器件钝化问题已经成为半导体物理的一个重要的研究领域，因而制备优质的钝化薄膜成为研究焦点。氮化硅薄膜具有高介电常数、高化学稳定性、致密性好、抗氧化、抗腐蚀、抗杂质扩散和水汽...
张晓东张学敏时文华李海军王荣新张宝顺
量子阱红外探测器的制作方法
本申请公开了一种量子阱红外探测器的制作方法，通过引入自对准工艺，完成探测器芯片的上电极制备与台面制备。其制作方法包括以下步骤：1、光栅光刻与刻蚀；2、通过光刻、电子束蒸发与剥离形成金属上电极；3、利用上电极金属作为掩膜，...
时文华缪小虎苏瑞巩熊敏张宝顺
文献传递
半导体光电子器件的制作方法
本发明公开了一种半导体光电子器件的制作方法，所述制作方法包括在衬底上生长形成光电子器件结构的步骤，所述光电子器件结构包括N型层、有源区发光层及P型层；以及还包括：在所述光电子器件结构上设置掩模，并利用所述掩模对所述N型层...
张宝顺徐峰于国浩张晓东时文华
文献传递
具有曲面结构的PMUT器件及其制作方法
本发明公开了一种具有曲面结构的PMUT器件及其制作方法。具有曲面结构的PMUT器件包括基片和压电薄膜，所述基片具有开口朝向所述压电薄膜的谐振腔，所述压电薄膜的选定部分沿选定方向覆盖在所述谐振腔的开口上方，其中，所述选定部...
周佳林文魁时文华石豪张学敏张宝顺曾中明
光刻方法
本发明公开了一种光刻方法，用以获得具有不同高度的光刻结构，包括：s1、设计光刻版图形，该光刻版图形包括多个相同的图形单元，所述多个图形单元阵列分布；s2、根据所述的光刻版图形在待加工样品上形成一定厚度的光刻胶掩膜，所述待...
付思齐时文华刘彬侯克玉张宝顺
文献传递
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