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陈少军

作品数:4 被引量:17H指数:2
供职机构:上海交通大学更多>>
发文基金:上海市浦江人才计划项目国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇正交
  • 2篇正交试验
  • 2篇高深宽比
  • 1篇掩模
  • 1篇掩模板
  • 1篇掩膜
  • 1篇射线
  • 1篇准分子
  • 1篇准分子激光
  • 1篇微机电系统
  • 1篇吸收体
  • 1篇聚甲基丙烯酸
  • 1篇聚甲基丙烯酸...
  • 1篇刻蚀
  • 1篇机电系统
  • 1篇激光
  • 1篇甲基
  • 1篇甲基丙烯
  • 1篇甲基丙烯酸
  • 1篇甲基丙烯酸甲...

机构

  • 4篇上海交通大学
  • 1篇日本立命馆大...

作者

  • 4篇陈少军
  • 3篇李以贵
  • 1篇杉山进

传媒

  • 1篇光学精密工程
  • 1篇半导体技术
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
高深宽比微结构加工技术研究
高深宽比微结构加工的技术有很多,但是目前主流工艺有两种,其一是ICP-RIE,感应耦合等离子体刻蚀技术;其二是LIGA工艺,一种基于X射线光刻技术。 第四代的半导体封装技术的出现——TSV/(Through S...
陈少军
关键词:正交试验
文献传递
应用X射线光刻的微针阵列及掩模板补偿被引量:5
2010年
提出了一种聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微针的微细加工工艺,该工艺基于PCT技术,结合X射线以及光刻掩模制作三维微结构。通过移动LIGA掩模板曝光来加工微立体PMMA结构,其加工形状取决于X光光刻掩模板吸收体的形状。实验显示,最终的结构形状并非完全与掩模板上吸收体的形状一致。如果不对X光光刻掩模板的吸收体形状进行补偿,即会使被加工的微结构侧面变形,从而影响微针的性能。分析了微针阵列侧面变形的原因,认为这种变形是由于显影时间与曝光量之间的非线性关系导致结构形状与曝光量分布不完全一致造成的。利用PCT方法制作的PMMA微针其长度为100~750μm,直径为30~150μm,针尖的直径最小可达100nm。通过对LIGA掩模板上的吸收体图形进行适当的补偿,使吸收体图形从中空的双直角三角形变为中空的半椭圆图形,增强了带沟道的微注射针阵列的强度。
陈少军李以贵杉山进
关键词:X射线光刻聚甲基丙烯酸甲酯掩模吸收体
基于准分子激光工艺制作X射线光掩膜
2010年
LIGA工艺是一项能够应用于制造三维微机械结构的微细加工技术,但制作掩膜版工艺复杂、成本高。为了解决商用的微光学系统制造成本问题,在Au薄膜上用准分子激光直写的方法制作掩膜,这样既能够很快得到雏形,同时也能够降低制作的掩膜版的成本。分析讨论了基于电子束制作掩膜版和基于准分子激光制作掩膜版两种方法,得出了准分子激光制作的掩膜在成本和时间上都有优势的结论。将通过准分子激光技术制作的掩膜置于X射线下,在PMMA基板上可以加工很好的三维微结构。通过依次直接激光烧蚀金薄膜可以加工具有一系列微球状结构的吸收体图形,再将此图形转写到PMMA基板上,可以得到的最低像素为25μm。
陈少军李以贵
关键词:准分子激光
基于高深宽比Si干法刻蚀参数优化被引量:11
2009年
为满足体硅MEMS制造工艺进一步发展的需要,对电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺参数进行了深入分析,着重分析了平板功率对Si干法刻蚀的影响。通过对Si干法刻蚀的主要工艺参数进行正交试验,得出了一组较为理想的刻蚀工艺参数:刻蚀气体SF6和保护气体C4F8的流量均为13cm3·min-1,在一个周期内通入刻蚀气体SF6的时间为4s,通入钝化气体C4F8的时间为3s;线圈功率为400W,平板功率为110W。利用这组优化的工艺参数进行Si的干法刻蚀,所得到的微结构的深宽比将大于20∶1,同时侧壁垂直度能够很好地控制在90°±1°。
陈少军李以贵
关键词:微机电系统正交试验
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