王颖蕾
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：天津理工大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 掺杂ZnO稀磁材料薄膜的制备工艺及室温磁性研究
- 稀磁半导体（DMS）材料可利用电子自旋所需能量小，易控制等优点实现许多新的多功能器件。其中，纤锌矿结构的ZnO由于具有生长温度较低，激子束缚能较大（60meV），禁带较宽（3.27eV）支持较大的磁性掺杂浓度，被预言可实...
- 王颖蕾
- 关键词：稀磁半导体氧化锌薄膜磁控溅射
- 文献传递
- 磁控溅射法制备的不同浓度Cr掺杂ZnO薄膜磁性研究
- 2010年
- 采用磁控溅射法在硅片上制备Cr掺杂ZnO薄膜材料,通过控制共溅时间来控制掺杂浓度.晶体结构分析表明所有样品均为ZnO纤锌矿结构,没有观测到其他杂相峰.Cr掺杂ZnO薄膜具有c轴择优取向.磁性测试结果表明,不同浓度Cr掺杂ZnO薄膜具有室温铁磁性.掺杂浓度1%薄膜磁性最强,室温饱和磁化强度为0.53μB/Cr.随着掺杂浓度增大,样品磁性减弱,主要是由于掺杂浓度增大反铁磁交换作用增强.
- 王颖蕾陈希明李伟吴晓国
- 关键词：磁控溅射法ZNO薄膜室温铁磁性
- 硼掺杂对金刚石薄膜载流子浓度的影响
- 2009年
- 采用固体三氧化二硼,在硅衬底上用HFCVD法生长金刚石薄膜.对CVD金刚石薄膜的进行了表面形貌和结构进行了研究,并测试了不同硼掺杂浓度的金刚石膜载流子浓度及其电阻率.结果表明:金刚石膜结构致密,硼掺杂有利于改善膜质量,膜中载流子浓度随着掺杂浓度的提高不断提高.
- 程强王颖蕾陈希明付长风李杰
- 关键词：CVD金刚石薄膜硼掺杂电学性能
