李丹
- 作品数：2 被引量：6H指数：1
- 供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
- 发文基金：长江学者和创新团队发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 电沉积法制备ZnO薄膜的结构与光电性能研究被引量：5
- 2009年
- 以硝酸锌和硝酸钾混和溶液为电解液，采用两电极体系在SnO2：F（FTO）片和p-Si（100）衬底上用不同沉积电压制备了c轴取向的ZnO薄膜。用X-射线衍射、扫描电子显微镜和分光光度计分析了薄膜的相结构，晶粒尺寸和光吸收特性。发现薄膜的（002）衍射峰强度随着沉积电压的增加而显著增强；薄膜中晶粒为典型的六方柱状结构，且基本与衬底垂直，晶粒尺寸为200-400nm；薄膜的光学禁带宽度为3．34eV。光照时，ZnO／Si异质结二极管呈明显的光生电流效应。
- 李丹沈鸿烈鲁林峰黄海宾李斌斌
- 关键词：ZNO薄膜电沉积异质结二极管
- Mn、Co掺杂SiC薄膜结构与光致发光性能研究被引量：1
- 2008年
- 采用射频磁控溅射技术和复合靶材方法制备了掺Mn,掺Co和Co、Mn共掺的SiC薄膜,经高温退火后进行了光致发光(PL)谱的测量,还用X射线衍射(XRD),傅立叶变换红外光谱(FTIR),扫描电镜(SEM)等表征手段分析了薄膜的相结构和表面形貌,并与光致发光的结果进行了对比研究。结果表明,掺Mn、Co使SiC晶格发生畸变,X射线衍射峰强度下降,Si-C吸收谱变宽,Si—C键振动减弱,Si-O基团的振动增强。样品在室温条件下均呈现出强的紫光发射特性,发光峰均位于414nm(3.0eV),认为414nm处的光致发光峰对应于光激发产生的电子从导带底到Si空位浅受主能级之间的辐射跃迁,其强度取决于Si空位的浓度。
- 宋曙光沈鸿烈李丹蔡红唐正霞
- 关键词：SIC薄膜磁控溅射掺杂荧光性能
