宋阳
- 作品数：5 被引量：4H指数：2
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 溅射温度对TaN薄膜应变敏感性能的影响被引量：2
- 2013年
- 采用中频磁控溅射方法,在有绝缘层的金属基板上制备TaN薄膜应变计。并研究了溅射温度对TaN薄膜微结构、室温电阻率以及对薄膜TaN应变计的电阻温度系数(TCR)和应变敏感系数(GF)的影响。结果表明:溅射温度对TaN薄膜的微结构有显著影响;不同的溅射温度下,TaN会析出不同的晶相,不同晶相的TaN薄膜的电学性能和薄膜应变计的电阻温度系数都不相同;在400℃溅射温度下,N2分压为4%,溅射功率为200 W的条件下,制备的TaN薄膜应变计的TCR为50×10-6℃,GF为9,该薄膜应变计性能稳定,重复性好。
- 李超周勇宋阳贺利军蒋书文
- 关键词：TANTCRGF应变计
- 溅射温度对于TaN薄膜应变敏感性能的影响研究
- 采用中频磁控溅射方法,在制备有绝缘层的金属基板上制备TaN薄膜应变计。并研究了溅射温度对于TaN薄膜微结构、室温电阻率以及对薄膜TaN应变计的电阻温度系数(TCR)和应变敏感系数(GF)的影响。结果表明,溅射温度对于Ta...
- 李超周勇宋阳贺利军蒋书文
- 关键词：TANTCRGF应变计
- 文献传递
- Pd-Cr薄膜应变计的研制被引量：3
- 2014年
- 采用射频磁控溅射法在镍基高温合金拉伸件上制备Pd-Cr薄膜应变计.研究了800℃大气退火对Pd-Cr薄膜结构、表面形貌、方决电阻的影响,并且测试了Pd-Cr薄膜应变计的电学及应变性能.结果表明：Pd-Cr薄膜是一种结构为面心立方的单相材料.800℃大气退火后,Pd-Cr薄膜表面生成一层致密的Cr2O3,且薄膜方阻减小.在20～400℃范围内,应变计电阻同温度呈线性变化,电阻温度系数（TCR）约为230 ～ 260 ppm/℃.室温和300℃下的灵敏系数（GF）分别为1.97和2.63.
- 周勇李超宋阳蒋书文
- 关键词：磁控溅射电阻温度系数
- 溅射温度对TaN薄膜应变敏感性能的影响
- 采用中频磁控溅射方法,在有绝缘层的金属基板上制备TaN薄膜应变计。并研究了溅射温度对TaN薄膜微结构、室温电阻率以及对薄膜TaN应变计的电阻温度系数(TCR)和应变敏感系数(GF)的影响。结果表明：溅射温度对TaN薄膜的...
- 李超周勇宋阳贺利军蒋书文
- 关键词：微结构
- 文献传递
- 溅射气压对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜变容管漏电特性影响研究
- 2013年
- 在氧气和氩气的混合气体中,采用射频磁控溅射方法在蓝宝石基片上溅射生长了Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)薄膜,使用微细加工工艺制备了BST薄膜变容管,研究了溅射气压对薄膜变容管漏电流特性的影响。结果表明在基片温度800℃,溅射气压2.0 Pa,氧氩分压比为3:17的条件下沉积的BST薄膜结构致密,表面平整,所制薄膜变容管具有较小漏电流,在较高外加电场强度(3.0×106V/cm)下其漏电流密度不超过1.3×10–4A/cm2,耐压可以达到120 V,调谐率约为53.7%。
- 宋阳周勇蒋书文
- 关键词：溅射气压变容管
