陈波
- 作品数：10 被引量：9H指数：2
- 供职机构：沈阳芯源微电子设备有限公司更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项国际科技合作与交流专项项目更多>>
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- 一种用于圆形薄片状物体进行化学液喷洒处理的装置
- 本发明涉及化学液喷洒处理领域，具体是一种用于硅片和其它圆形薄片状物体进行化学液喷洒处理的装置，通过处理半导体材质的圆片，从而进一步制备微电子器件。该装置设有处理腔、旋转与升降机构和盖板，处理腔具有径向设置的外层侧壁和内层...
- 陈波陈焱谷德君王永斌
- 文献传递
- 一种用于圆形薄片状物体进行化学液喷洒处理的装置
- 本实用新型涉及化学液喷洒处理领域，具体是一种用于硅片和其它圆形薄片状物体进行化学液喷洒处理的装置，通过处理半导体材质的圆片，从而进一步制备微电子器件。该装置设有处理腔、旋转与升降机构和盖板，处理腔具有径向设置的外层侧壁和...
- 陈波陈焱谷德君王永斌
- 文献传递
- 一种用于圆形薄片状物体进行化学液喷洒处理的装置
- 本发明涉及化学液喷洒处理领域，具体是一种用于硅片和其它圆形薄片状物体进行化学液喷洒处理的装置，通过处理半导体材质的圆片，从而进一步制备微电子器件。该装置设有处理腔、旋转与升降机构和盖板，处理腔具有径向设置的外层侧壁和内层...
- 陈波陈焱谷德君王永斌
- 一种用于单面处理的夹持与保护装置
- 本发明涉及主要用于夹持和保护硅片及其相似物进行单面处理的装置，具体为一种用于单面处理的夹持与保护装置，解决硅片或相似物进行单面处理时，在装置上的正确放置与高速旋转时安全夹持等问题。该装置设有旋转盘和旋转轴，旋转盘位于装置...
- 陈波陈焱谷德君
- 文献传递
- 凸点下金属层湿法刻蚀与凸点底切的控制被引量：3
- 2009年
- 介绍了电镀凸点封装工艺流程和其中有关金属层湿化学刻蚀的问题。通过槽式批量和单片机刻蚀相应的UBM(凸点下金属层)的均匀度、刻蚀速率和凸点底切的对比,结果显示单片湿法刻蚀机刻蚀均匀度小于5%且片与片之间刻蚀速率差异小于2%,以及凸点底切小于2μm。槽式刻蚀均匀度较差,一般会大于20%,同时同一批次片与片之间刻蚀速率差异也较大,实验显示超过10%,且刻蚀后凸点底切较深。因此采用单片机进行UBM金属刻蚀可以较好的控制刻蚀过程和提高产品的良率。
- 陈波陈焱谷德君
- 关键词：湿法刻蚀单片机刻蚀速率
- 非接触式承片台流体动力学仿真分析被引量：1
- 2010年
- 介绍了一种伯努利原理非接触式承片台设计的新方法,即使用流体动力学软件对承片台的结构和性能进行分析,并详细叙述了承片台结构网格的划分方法。根据仿真结果对其结构进行改进设计,设计产品最终达到了良好的使用效果。
- 谷德君陈波孔繁久
- 关键词：CFD技术设计方法
- 单片湿法刻蚀机供酸管路系统设计被引量：1
- 2009年
- 介绍湿法刻蚀技术在硅片加工中的应用,重点讨论了湿法刻蚀设备中供应化学液的化学管路系统的设计,管路上主要安装的部件及其功能,以及各部件的布置方式。通过对湿法刻蚀技术中主要工艺参数的影响程度来分析和调整管路上主要部件的使用和布置位置。
- 孙大伟陈波
- 关键词：硅片加工湿法刻蚀
- 硅片背面铜污染的清洗被引量：4
- 2011年
- H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果。通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm。
- 陈波
- 关键词：铜污染湿法刻蚀
- 一种用于单面处理的夹持与保护装置
- 本实用新型涉及主要用于夹持和保护硅片及其相似物进行单面处理的装置，具体为一种用于单面处理的夹持与保护装置，解决硅片或相似物进行单面处理时，在装置上的正确放置与高速旋转时安全夹持等问题。该装置设有旋转盘和旋转轴，旋转盘位于...
- 宗润福陈波谷德君
- 文献传递
- 一种用于单面处理的夹持与保护装置
- 本发明涉及主要用于夹持和保护硅片及其相似物进行单面处理的装置，具体为一种用于单面处理的夹持与保护装置，解决硅片或相似物进行单面处理时，在装置上的正确放置与高速旋转时安全夹持等问题。该装置设有旋转盘和旋转轴，旋转盘位于装置...
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