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赵庚

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：天津理工大学更多>>
发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇绝缘层
  • 2篇场效应
  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧化铟锡
  • 1篇有机半导体
  • 1篇有机场效应管
  • 1篇栅绝缘层
  • 1篇双极型
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇绝缘
  • 1篇厚度
  • 1篇半导体
  • 1篇OFET
  • 1篇并五苯
  • 1篇玻璃衬底
  • 1篇场效应管
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇场效应迁移率
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇天津理工大学

作者

  • 2篇田海军
  • 2篇杜博群
  • 2篇吴仁磊
  • 2篇程晓曼
  • 2篇梁晓宇
  • 2篇赵庚
  • 2篇郑宏
  • 1篇吴峰

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种有机双极型场效应晶体管及其制备方法
一种有机双极型场效应晶体管，为在Al源、漏电极与P型有机半导体层之间插入V<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>修饰层的底栅中间接触结构，由衬底、栅电极、电介质绝缘层、P型有机半导体层、V<Sub>2</Su...
程晓曼赵庚田海军吴仁磊郑宏杜博群梁晓宇
文献传递
聚合物栅绝缘层厚度对并五苯有机场效应管性能的影响被引量：1
2012年
采用不同厚度的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为栅绝缘层,制备了并五苯有机场效应晶体管(OFET)。测量了不同厚度的PMMA的介电特性,并详细分析了栅绝缘层厚度对器件性能的影响。其中,采用260nm厚的PMMA栅绝缘层的OFET具有比采用其它厚度的器件更优越的性能,其场效应迁移率、阈值电压与开关电流比分别达到3.39×10-3 cm2/Vs、-19V和103。
杜博群吴仁磊赵庚郑宏田海军梁晓宇吴峰程晓曼
关键词：场效应迁移率
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