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高电子迁移率晶体管的制造方法: 一种高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上形成第一半导体层；在第一半导体层上栅极位置处形成栅极介质层；在第一半导体层上栅极位置之外的区域形成第二半导体层，以在栅极位置处形成凹槽；在凹槽两侧的第二半导体层上形成源极和...; 包琦龙邓坚罗军赵超; 文献传递

高电子迁移率晶体管及其制造方法: 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法。该高电子迁移率晶体管的制造方法包括：在衬底上形成半导体层；在半导体层中形成凹槽；在凹槽底部形成介质层；在半导体层的表面上形成源极和漏极；以及在介质层上形成栅极。通过以上方法...; 包琦龙邓坚罗军赵超; 文献传递

一种GaN基功率电子器件及其制备方法: 一种GaN基功率电子器件，包括衬底和衬底之上的外延层，所述外延层包括GaN基异质结构层、超晶格结构层和P型盖帽层，所述超晶格结构层设置于所述异质结构层之上，所述P型盖帽层设置于所述超晶格结构层之上。以及一种GaN基功率电...; 黄森刘新宇王鑫华魏珂包琦龙王文武赵超

高电子迁移率晶体管的制造方法: 一种高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上形成第一半导体层；在第一半导体层上栅极位置处形成栅极介质层；在第一半导体层上栅极位置之外的区域形成第二半导体层，以在栅极位置处形成凹槽；在凹槽两侧的第二半导体层上形成源极和...; 包琦龙邓坚罗军赵超; 文献传递

Si衬底上MOCVD生长AlN的预铺铝机理研究被引量：1: 2013年; 介绍了在Si(111)衬底上MOCVD外延生长高质量AlN成核层,系统研究了预铺铝时间对成核层的影响。分别利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率X射线衍射(HRXRD)对AlN层的表面形貌和晶格质量进行表征。实验结果表明,优化的预铺铝时间可以促进AlN成核层生长模式由3D向2D的转变。有效提高了AlN成核层的表面形貌,还可以提高其晶格质量。结合实验现象,根据预铺铝阶段在硅片表面发生的化学反应,提出相应的生长模型,讨论了预铺铝时间和AlN生长模式的关系,在理论上解释了预铺铝时间对AlN成核层生长的影响。; 江忠永丛宏林徐小明包琦龙张昊翔罗军赵超; 关键词：金属有机化学气相沉积

高电子迁移率晶体管及其制造方法: 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管及其制造方法。该高电子迁移率晶体管的制造方法包括：在衬底上形成半导体层；在半导体层中形成凹槽；在凹槽底部形成介质层；在半导体层的表面上形成源极和漏极；以及在介质层上形成栅极。通过以上方法...; 包琦龙邓坚罗军赵超; 文献传递

一种GaN基功率电子器件及其制备方法: 一种GaN基功率电子器件，包括衬底和衬底之上的外延层，所述外延层包括GaN基异质结构层、超晶格结构层和P型盖帽层，所述超晶格结构层设置于所述异质结构层之上，所述P型盖帽层设置于所述超晶格结构层之上。以及一种GaN基功率电...; 黄森刘新宇王鑫华魏珂包琦龙王文武赵超; 文献传递

面向高性能GaN基功率电子的器件物理研究被引量：4: 2016年; 氮化镓(GaN)功率电子器件具有高击穿电压、高工作频率、高电流输出能力以及耐高温等优点,有望成为下一代高效电源管理系统芯片的最佳候选之一.本文从界面态起源、极化能带工程以及可靠性机理等角度分析了GaN基功率电子器件所面临的器件物理挑战,包括栅极阈值不稳定性、高压动态导通电阻退化、高阈值栅技术和栅介质长期可靠性等关键科学问题和技术瓶颈.分析指出(Al)GaN表面的无序氧化可能是GaN基器件表/界面态的主要来源,并有针对性地介绍了界面氮化插入层、极性等离子增强原子层沉积AlN薄膜(Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposited AlN,PEALD-AlN)钝化、F离子注入与高温栅槽刻蚀增强型技术,以及低压化学气相沉积SiNx(Low-Pressure Chemical Vapor Deposited SiNx,LPCVD-SiNx)和O3-Al2O3高绝缘栅介质等提高GaN基增强型器件性能的新型工艺技术.系统分析了国际有关高性能GaN功率电子器件研究的最新进展,及未来面临的机遇和挑战.; 黄森杨树唐智凯化梦媛王鑫华魏珂包琦龙刘新宇陈敬; 关键词：功率电子器件界面态栅介质

一种III族氮化物电子器件低温欧姆接触的制作方法: 本发明公开了一种III族氮化物电子器件低温欧姆接触的制作方法，该方法包括：在III族氮化物欧姆接触区域注入N型杂质；在注入N型杂质的III族氮化物欧姆接触区域之上淀积欧姆金属；采用微波退火技术在低温下实现欧姆接触。在II...; 黄森刘新宇王鑫华魏珂包琦龙罗军赵超; 文献传递

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