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王晓琳

作品数:5 被引量:13H指数:2
供职机构:武汉理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 4篇BI
  • 3篇热电性能
  • 2篇热电材料
  • 2篇热挤压
  • 2篇BI0
  • 2篇BI2TE3
  • 1篇电学性能
  • 1篇微观结构
  • 1篇微米
  • 1篇力学性能
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇粉末烧结
  • 1篇粉末冶金
  • 1篇复合结构
  • 1篇高性能
  • 1篇力学性

机构

  • 5篇武汉理工大学
  • 2篇钢铁研究总院

作者

  • 5篇王晓琳
  • 3篇姜洪义
  • 2篇任卫

传媒

  • 1篇武汉理工大学...
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2006
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
Bi/_2Te/_3体系的材料制备、晶体结构及热电性能
Bi2Te3基半导体合金是目前已知的室温附近性能最佳的热电材料,其块体的热电优值ZT在1左右。已有的研究表明,对Bi2Te3基合金的相组成和微观结构进行合理的优化可以有效提高其热电传输性能。本文采用真空熔炼、溶剂热等方法...
王晓琳
关键词:热电性能热挤压
文献传递
SPS法制备Bi2Te3基热电合金的热电性能被引量:6
2009年
用粉末冶金工艺结合SPS烧结制备了p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3和n型Bi2(Te0.975Se0.025)3多晶半导体合金,研究烧结工艺对其热电性能的影响。结果表明,室温下,p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3材料的热电优值Z为3.25×10-3K-1,n型Bi2(Te0.975Se0.025)3材料的热电优值Z为2.21×10-3K-1。
王晓琳姜洪义任卫
关键词:热电性能
Bi_2Te_3基半导体合金的结构与性能被引量:5
2010年
采用粉末热挤压的方式制备出了n型Bi2Te3基块体材料,研究了烧结工艺对其微观结构、力学性能和热电性能的影响。结果表明,与区熔单晶相比热挤压试样的力学性能有了较大提高,挤压温度的提高有利于试样力学性能的改善,挤压温度为400℃时试样获得室温下最大的热电优值约为0.75。
王晓琳姜洪义
关键词:热挤压力学性能BI2TE3
高性能Bi/_2Te/_3基热电合金制备与性能研究
本文首先对热电现象,热电材料的发展历史进行了比较详细的综述。已有的研究表明,以Bi/_2Te/_3为基,掺入不同元素得到的固溶体合金是目前为止最好的低温区热电半导体材料。 应用先进粉末冶金技术...
王晓琳
关键词:热电材料粉末冶金热电性能
文献传递
Bi_2Te_3基热电材料的微观结构与电学性能(英文)被引量:1
2010年
用粉末冶金工艺结合SPS烧结制备了n型Bi2(Te0.975Se0.025)3和p型(Bi0.2Sb0.8)2Te3多晶半导体合金,并通过XRD衍射分析和SEM观察等方法研究其在不同方向上的微观结构,测试了其热电性能。结果表明试样的电导率随烧结温度的增加而减小,试样内部的晶粒具有明显的取向,材料的电学性能也同样具有各向异性的性质。
王晓琳姜洪义任卫
关键词:晶体结构
共1页<1>
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