杨扬
- 作品数：5 被引量：13H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金长江学者和创新团队发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- MOCVD脉冲生长对InGaN太阳能电池材料的影响被引量：1
- 2013年
- 通过对InGaN三元合金的生长方式做对比,发现在相同条件下,因常规生长过程中反应室In的浓度更高,生长出的InGaN中In组分更高。但是由于预反应的原因晶体质量较差,而脉冲生长由于源的分时输运,大幅减小了预反应的发生,提高了晶体质量。但由于生长时反应室In原子浓度变小,In的组分会降低,也会减小In滴的析出。
- 贾文博李培咸周小伟杨扬
- 关键词：INGAN太阳能电池MOCVD
- Mg注入非极性a面GaN退火温度的研究被引量：1
- 2013年
- 非极性GaN材料解决了传统GaN材料中的极化现象,具有较好的应用前景。用金属有机物化学气相沉积方法,在r面蓝宝石上生长了Mg注入非极性a面GaN薄膜,并选取650℃、750℃、850℃这3个温度对Mg注入GaN薄膜进行退火温度研究。用原子力显微镜、光致发光谱、拉曼谱研究了材料的表面形貌、光学性质以及面内应力。结果表明,在750℃退火时效果较好。
- 杨扬李培咸周小伟贾文博赵晓云
- 关键词：非极性氮化镓原子力显微镜光致发光谱拉曼谱
- 相控阵子阵级和差多波束测角方法被引量：11
- 2013年
- 针对大型相控阵多目标单脉冲测角问题,提出了一种利用和差多波束在子阵级实现多目标测向的方法.首先,通过合并阵元输出降低系统复杂度;其次,通过多套子阵级仅相位导向矢量和对称取反方式实现和差多波束;最后,只需获得方位及俯仰维法线斜率,就可估计任意指向波束内的目标二维偏角.与子阵级四指向和差测角方法相比,所提方法具有测角精度高和实现简单的优点.实测和仿真数据处理结果显示了方法的有效性和优越性.
- 曾操陈昊何学辉杨扬
- 关键词：单脉冲测角多波束形成
- 非极性GaN材料的生长及退火温度研究
- 由于常规的GaN是在极性c面蓝宝石上面生长的，具有较强的极化效应，它对于高电子迁移率的晶体管是有用的，但对于光电器件确实是危害很大的。由极化引起的内建电场使能带产生弯曲倾斜，还会使正负载流子在空间上分离，电子与空穴波函数...
- 杨扬
- 关键词：极化MOCVD退火温度
- 文献传递网络资源链接
- DBF系统的数字正交相干检波设计
- 2011年
- 结合某具体工程实例讨论了带通信号采样定理,在此基础上研究了数字正交相干检波技术的优化设计。计算机仿真和性能分析表明,该设计对其他工程具有一定的参考价值。
- 杨玲杨扬刘桂瑜
- 关键词：FIR滤波器
