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余凯

作品数:6 被引量:11H指数:2
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇低功耗
  • 2篇电荷泵
  • 2篇升压
  • 2篇功耗
  • 2篇放大器
  • 1篇带隙
  • 1篇低温漂
  • 1篇低压差
  • 1篇低压差线性稳...
  • 1篇低压低功耗
  • 1篇电荷泵设计
  • 1篇电流镜
  • 1篇电路
  • 1篇电源产生电路
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇液晶
  • 1篇液晶显示
  • 1篇液晶显示器
  • 1篇运算跨导放大...
  • 1篇整流

机构

  • 6篇华中科技大学

作者

  • 6篇余凯
  • 4篇邹雪城
  • 2篇鲁力
  • 1篇童乔凌
  • 1篇刘冬生
  • 1篇杜芷君
  • 1篇邹志革
  • 1篇余国义
  • 1篇张程龙
  • 1篇李思臻
  • 1篇张科峰
  • 1篇宁军
  • 1篇吴大军

传媒

  • 2篇华中科技大学...
  • 1篇计算机与数字...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
静态随机访问存储器数据残留的安全策略研究
静态随机访问存储器/(SRAM,Static Random Access Memory/)是一种无需刷新、以随机顺序来读写存储单元的半导体存储器。由于其高速、低功耗的特点,SRAM被广泛地应用于高性能微处理器和各类消费电...
余凯
关键词:数据残留低压低功耗
文献传递
基于高性能升压转换器的跨导误差放大器被引量:3
2008年
在分析峰值电流模式升压转换器原理的基础上,设计了一种结构新颖,高精度高性能跨导误差放大器。提出了将具有动态电流自补偿功能的基准电压电路复用为误差放大器输入级的新方法,克服了传统外接基准电压时误差放大器易受干扰和基准电路设计复杂的缺点,提高了误差信号精度和放大器跨导。设计了输出电阻可调电路,简化了补偿网络设计。电路用0.6μmBiCMOS工艺实现,测试表明:3V输入电压,1.2MHz工作频率下,误差放大器开环电压增益57dB,跨导322μS,输入偏置电流小于50nA;升压转换器输出电压15V,输出纹波小于5mV。
余凯邹雪城童乔凌李思臻
关键词:误差放大器基准电压升压转换器运算跨导放大器高性能
无源高频RFID标签芯片电源产生电路
2009年
无源RFID标签芯片的能量来自读写器发射的射频能量。针对符合ISO/IEC15693标准的无源高频(13.56 MHz)RFID标签芯片,对NMOS栅交叉连接整流电路结构进行了研究与设计,实现的NMOS栅交叉连接整流电路的能量转换效率为34.46%,并设计一种低成本、低功耗的芯片工作电源产生电路,设计工艺采用SMIC 0.35μm 2P3M CMOS EEPROM工艺。最后,给出了芯片的测试结果。测试结果显示:所设计的电源产生电路能够很好地工作在ISO15693标准定义的最小磁场Hmin(150 mA/m)和最大磁场Hmax(5 A/m)之间。
刘冬生邹雪城余凯杜芷君
关键词:RFID标签芯片整流电路电流镜
用于TFT-LCD驱动的高效率高性能电荷泵设计被引量:4
2008年
设计了一种用于TFT-LCD驱动的高效率高性能电荷泵.在分析了宽输入恒输出电荷泵原理的基础上,采用跟踪输入电压动态调整升压倍率的方法,克服了传统固定倍率电荷泵的效率随输入电压升高而大幅降低的缺点.提出了简单多倍率开关阵列及控制电路,采用了改进的三管复合开关减小静态功耗.电路用0.6μmBiCMOS工艺实现.测试表明:在输入电压2.7~5.5V,工作频率250kHz条件下,输出电压为5V,满载电流为25mA,平均效率提高了14%,最低效率提高了15%,静态电流为0.1mA,负载调整率为0.014%mA^-1.
余凯邹雪城余国义宁军
关键词:电荷泵低功耗
采用负电阻技术的增益恒定放大器被引量:1
2008年
对传统型单级差分放大器在先进工艺下的增益降低进行分析,在电路设计实现上提出了具体的改进方法.通过金属氧化物半导体(MOS)管的交叉耦合正反馈形成了小信号负电阻,并通过负电阻抵消放大器的正的输出电阻,通过小信号负电阻的大小设置,使得其增益能表达成为两个跨导的比值,并且能实现先进工艺下增益的提高,因而增益能不受工艺和沟道长度的影响,具有优异的工艺兼容性,适用于低压应用和深亚μm工艺.基于此结构,实现了工艺转换而无需再设计的放大器.仿真结果表明,该运算放大器能实现不同工艺下的增益恒定以及稳定的相位裕度.
邹雪城鲁力张程龙余凯
关键词:放大器负电阻相位裕度
基于分段温度补偿带隙实现的低温漂LDO电路被引量:2
2007年
设计一种基于分段温度补偿带隙实现的低温漂LDO电路。将整个温度范围,分成四段,在不同的温度范围下,改变带隙的正温度系数,从而完成对带隙电压的分段补偿,由此得到温度系数很小的带隙基准源,用此带隙基准源作为LDO的参考电压,来实现低温漂的LDO。电路使用0.8um的BCD工艺库模型进行仿真,仿真结果表明,使用分段补偿带隙使LDO的温度系数得到了极大的降低,温度系数从原先未补偿的43.6ppm/℃变为2.4ppm/℃。
吴大军张科峰邹志革余凯鲁力
共1页<1>
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