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丁艳

作品数：11 被引量：4H指数：1
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家科技支撑计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 7篇半导体
  • 6篇光电
  • 6篇二极管
  • 6篇发光
  • 6篇发光二极管
  • 5篇电子器件
  • 5篇光电子
  • 5篇光电子器件
  • 5篇半导体光电
  • 5篇半导体光电子...
  • 4篇电子型
  • 4篇刻蚀
  • 4篇干法刻蚀
  • 3篇微显示
  • 2篇电荷
  • 2篇电荷输运
  • 2篇电流
  • 2篇电流限制
  • 2篇电压
  • 2篇多量子阱

机构

  • 11篇北京工业大学

作者

  • 11篇丁艳
  • 9篇朱彦旭
  • 8篇郭伟玲
  • 6篇刘建朋
  • 2篇李翠轻
  • 2篇曹伟伟
  • 1篇崔碧峰
  • 1篇吴国庆
  • 1篇闫薇薇
  • 1篇崔德胜

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 5篇2012
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有电荷输运限制的高压发光二极管
一种具有电荷输运限制的高压发光二极管及其制备工艺，属于半导体光电子器件领域。其高压发光二极管的主要结构依次包括：电极、接触层、有源区、隔离槽、未掺杂电流限制层、反型防护层组成的LED结构。该结构是：利用ICP刻蚀隔离槽的...
朱彦旭郭伟玲丁艳
文献传递
一种LED显示微阵列及其制备方法
本发明涉及一种LED微显示阵列及其制备方法，属半导体照明技术领域，其包括衬底外延片、半导体矩阵隔离区、插入层、电子型导电层、发光层、空穴型导电层、电子型导电电极、空穴型导电电极、隔离保护层、阳极线、阴极线。采用干法刻蚀外...
郭伟玲丁艳朱彦旭刘建朋
文献传递
一种具有电荷输运限制的高压发光二极管
一种具有电荷输运限制的高压发光二极管及其制备工艺，属于半导体光电子器件领域。其高压发光二极管的主要结构依次包括：电极、接触层、有源区、隔离槽、未掺杂电流限制层、反型防护层组成的LED结构。该结构是：利用ICP刻蚀隔离槽的...
朱彦旭郭伟玲丁艳
一种直接发光型微显示阵列器件及其制备方法
本发明涉及一种直接发光型微显示阵列器件及其制备方法，所述显示阵列包括衬底外延片、半导体矩阵隔离区、电子型导电层、发光层、空穴型导电层、电子型导电电极、空穴型导电电极、隔离保护层、阳极线、阴极线。所述方法采用干法刻蚀外延层...
郭伟玲丁艳朱彦旭刘建朋
文献传递
一种LED显示微阵列及其制备方法
本发明涉及一种LED微显示阵列及其制备方法，属半导体照明技术领域，其包括衬底外延片、半导体矩阵隔离区、插入层、电子型导电层、发光层、空穴型导电层、电子型导电电极、空穴型导电电极、隔离保护层、阳极线、阴极线。采用干法刻蚀外...
郭伟玲丁艳朱彦旭刘建朋
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具有ITO的GaN LED光电特性及可靠性研究
半导体发光二极管(light emitting diodes，LED)具有节能、高效、寿命长、绿色环保等优点，因而被广泛地应用到照明领域。在LED制造中，水平式GaN基LED的电流拥挤效应是影响外量子效率提高的主要因素。...
丁艳
关键词：铟锡氧化物快速热退火光电特性
一种高压发光二极管
一种高压发光二极管，属于半导体光电子器件领域。其高压发光二极管的主要结构依次包括：电极、第一接触层、有源区、第二接触层、隔离槽、绝缘保护层、缓冲层、衬底组成的LED结构。其采用外延生长法得到绝缘保护层；采用ICP干法刻蚀...
郭伟玲丁艳朱彦旭
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一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管
本发明涉及半导体光电子器件领域，具体涉及一种具有高光提取窗口的垂直结构型发光二极管。本发明包括电极，高光提取的窗口层结构，接触层，限制层，多量子阱有源区；电极，高光提取的窗口层结构，限制层，多量子阱有源区，限制层，接触层...
朱彦旭刘建朋李翠轻曹伟伟丁艳
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GaN基功率LED电应力老化早期的退化特性被引量：4
2012年
对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900 mA电流下的电应力老化,发现蓝光LED老化到24 h隧穿电流最小,绿光LED到6 h隧穿电流最小;同时,两种LED的反向漏电也最小、光通量最大,随后绿光LED的反向漏电增加较快且光通量衰减较快。把热退火效应和电应力下缺陷的产生分别看成正负加速因子,绿光LED的负加速因子的增加速度比蓝光LED大,衰减较快。该结果对GaN LED的改进有一定参考价值。
崔德胜郭伟玲崔碧峰丁艳闫薇薇吴国庆
关键词：发光二极管氮化镓光通量
一种直接发光型微显示阵列器件及其制备方法
本发明涉及一种直接发光型微显示阵列器件及其制备方法，所述显示阵列包括衬底外延片、半导体矩阵隔离区、电子型导电层、发光层、空穴型导电层、电子型导电电极、空穴型导电电极、隔离保护层、阳极线、阴极线。所述方法采用干法刻蚀外延层...
郭伟玲丁艳朱彦旭刘建朋
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