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ZnCuInS/ZnS量子点光致发光温度依赖性研究: 2014年; ZnCuInS/ZnS量子点是一种无重金属“绿色”半导体纳米材料。制备出了直径为2.9nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点。从ZnCuInS/ZnS量子点的吸收及光致发光光谱中可以看到,量子点的斯托克斯位移为410meV。这样大的斯托克斯位移表明,ZnCuInS/ZnS量子点的复合机制与缺陷能级有关。研究并计算了在辐射及非辐射驰豫过程的（Huang-Rhys）因子及平均声子能量。结果表明在50~373K范围内,能量带隙的变化以及光致发光光谱的增宽是分别由光从能带边缘向缺陷能级跃迁及载流子声子耦合导致的。; 毕克王武满张宇张铁强; 关键词：光致发光温度特性

ZnCuInS/ZnS量子点荧光粉LED发光特性研究被引量：1: 2014年; ZnCuInS/ZnS(QDs)量子点是一种不含重金属半导体的纳米材料,以无机前驱体和非配位溶剂为基础,合成得到尺寸为3.2nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点,通过测量ZnCuInS/ZnS量子点光致发光光谱,其发射峰波长约为700nm,半宽度为110nm。同时,以GaN蓝光芯片为基础,制备了ZnCuInS/ZnS量子点荧光粉LED发光二极管,并对其发光特性进行了研究。在恰当的偏置电压下,逐渐改变滴涂在底层为蓝色GaN LED芯片上的ZnCuInS/ZnS量子点溶液浓度,观察到红光逐渐增强,随之蓝光逐渐减弱,其发射光CIE色坐标发生改变,并可以得到较好的红光光谱。; 毕克张铁强张宇; 关键词：光致发光荧光粉

聚合物体异质结内载流子扩散及复合过程: 我们以聚合物(PDPP-F)(电子给体)：富勒烯(电子受体)共混异质结为研究对象1,以光诱导-载流子提取技术作为研究手段2,探测了体相异质结内载流子的扩散及复合过程。实验原理为：无光条件下,由于电容的存在,样品在线性增加...; 谭铭瑞毕克张理荃王英惠张汉壮; 关键词：光生载流子

ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点发光光谱特性的研究被引量：3: 2014年; ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点是一种无毒,无重金属的'绿色'半导体纳米材料。在研究中,制备了三种尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS核壳量子点,其直径分别为3.3,2.7,2.3nm。通过测量不同尺寸的ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的光致发光光谱,其发射峰值波长随尺寸的减小而蓝移。其吸收峰值波长和发射峰值波长分别是510,611(3.3nm),483,583(2.7nm)以及447,545nm(2.3nm)。ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点具有显著的尺寸依赖效应。ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的斯托克斯位移分别为398meV(3.3nm),436meV(2.7nm)以及498meV(2.3nm),这样大的斯托克斯位移证明,ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点的发光机制与缺陷能级有关。同时,对直径为3.3nm的ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点进行了温度依赖的光致发光光谱的测量,当温度为15～90℃时,该量子点发射峰值波长随温度的升高而红移,发光强度随温度的升高而降低,说明ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点是以导带能级与缺陷能级之间跃迁为主的复合发光。; 林以军刘文闫张宇毕克张铁强冯毅王一丁; 关键词：ZNSE ZNS 量子点温度依赖光致发光光谱

基于量子点荧光粉白光LED的发光特性和稳定性研究被引量：2: 2013年; 基于量子点荧光粉白光发光二极管（WLED）是由蓝色GaN芯片和发红光及绿光的CdSe／CdS／ZnS量子点（QDs）组成。因为CdSe量子点的发射波长可在510~620nm之间调节，导致了其色坐标和色差的可变。采用的CdSe量子点是在制备无机前驱体和非配位溶剂的基础上通过合成方法得到的。实验证实温暖和寒冷白光辐射是由于色温在40009000K区间变化；不同的偏置电压导致了颜色坐标的变化，增加工作时间在90min内对白光发射的稳定性进行分析得到稳定光谱。; 毕克林晓珑侯景富张宇; 关键词：量子点荧光粉光致发光稳定性

阵列光电池及其在增量式光电编码器的应用: 2014年; 为解决航空航天仪器小型化问题,以光电池阵列结构代替狭缝功能,将狭缝与光电池合二为一,使光的二次衍射变为一次衍射,以提高信号质量。由于光电池采用了阵列结构,缩小了面积,降低光源不均匀等影响,安装调试方便,有利于产业化生产和航空航天仪器的小型化。实践证明,取消狭缝,采用阵列光电池既提高了信号质量,又降低了加工成本,是增量式光电编码器的重要改进。; 毕克侯景富许添越张宇张铁强; 关键词：光电编码器码盘狭缝

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毕克