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于淑珍

作品数：118 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 109篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 5篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 96篇电池
  • 44篇激光
  • 39篇衬底
  • 38篇隧道结
  • 30篇光伏电池
  • 29篇光伏
  • 28篇太阳能电池
  • 28篇晶格
  • 27篇太阳能
  • 22篇太阳电池
  • 19篇电阻
  • 19篇级联
  • 18篇激光器
  • 15篇电极
  • 14篇键合
  • 13篇面发射
  • 13篇晶格常数
  • 12篇面发射激光器
  • 12篇发射激光器
  • 11篇电池材料

机构

  • 118篇中国科学院
  • 4篇中国科学技术...
  • 2篇泉州信息工程...
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 118篇于淑珍
  • 117篇董建荣
  • 116篇孙玉润
  • 110篇赵勇明
  • 101篇李奎龙
  • 96篇杨辉
  • 92篇赵春雨
  • 76篇曾徐路
  • 7篇何洋
  • 6篇宋焱
  • 2篇陆书龙
  • 2篇肖燕
  • 2篇赵宇
  • 2篇张伟
  • 1篇王伟明

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 4篇第十三届全国...
  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 4篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 3篇2020
  • 1篇2018
  • 12篇2017
  • 21篇2016
  • 15篇2015
  • 9篇2014
  • 35篇2013
  • 14篇2012
  • 1篇2011
共 118 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种倒装结构的激光光伏电池及其制作方法
本申请公开了一种倒装结构的激光光伏电池，所述的光伏电池包括第二绝缘衬底以及位于所述第二绝缘衬底上的外延层，所述的外延层包括依次形成于所述第二绝缘衬底上的正电极、P型导电层、P/N结电池、N型窗口层和N型接触层。本申请还公...
赵春雨董建荣于淑珍赵勇明李奎龙孙玉润曾徐路杨辉
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Si衬底三结级联太阳电池及其制作方法
本发明涉及光伏技术领域，尤其是指一种Si衬底三结级联太阳电池，包括按照远离Si衬底10的方向依次在Si衬底上生长的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、GaInP顶电池、GaA...
赵勇明董建荣李奎龙孙玉润曾徐路于淑珍赵春雨杨辉
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PNP结构的激光光伏电池及其制备方法
本申请公开了一种PNP结构的激光光伏电池，所述光伏电池包括依次形成于半绝缘衬底上反向P/N结、N型导电层、P/N结电池、P型窗口层和P型接触层，所述反向P/N结包括依次形成于所述半绝缘衬底上的P型层和N型层，所述P/N结...
赵春雨董建荣于淑珍赵勇明李奎龙孙玉润曾徐路杨辉
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三结太阳电池及其制备方法
本发明提供了一种三结太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的InGaAsN底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还提了一种...
孙玉润董建荣李奎龙曾徐路于淑珍赵勇明赵春雨杨辉
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三结级联太阳能电池及其制备方法
本发明提供一种三结级联太阳能电池包括GaAs或Ge的衬底，以及在所述衬底上依次设置的第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二渐变过渡层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。本发明还提...
于淑珍董建荣李奎龙孙玉润赵勇明赵春雨杨辉
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四结级联太阳能电池及其制备方法
本发明提供一种四结级联太阳能电池，包括依次设置的Ge底电池、第一隧道结、GaNAsBi子电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池以及GaAs接触层；Ge底电池包括Ge衬底以及设置在Ge衬底上的Ge底...
孙玉润董建荣李奎龙曾徐路于淑珍赵勇明赵春雨杨辉
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半导体激光器有源区、半导体激光器及其制作方法
本发明公开了一种半导体激光器有源区，所述有源区包括量子阱结构，所述量子阱结构中势阱层的材料为GaN<Sub>m</Sub>As<Sub>1-m-n</Sub>Bi<Sub>n</Sub>，所述量子阱结构中势垒层的材料为G...
赵勇明董建荣李奎龙孙玉润曾徐路于淑珍赵春雨杨辉
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GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法
本发明提供一种GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池，包括Ge衬底层，以及在所述Ge衬底层上依次设置的第一Ge子电池、第一隧穿结、第二Ge子电池、第二隧穿结、GaAs子电池、第三隧穿结、GaInP子电池和(In)...
赵勇明董建荣李奎龙孙玉润于淑珍杨辉
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一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器的制备方法
本发明公开了一种1300nm～1550nm含铋化物的半导体激光器，包括顺次连接的过渡层、下限制层、下波导层、有源区、上波导层、电子阻挡层、上限制层、欧姆接触层，其有源区采用由GaNAsBi/GaAs材料体系制作的应变量子...
曾徐路董建荣李奎龙孙玉润于淑珍赵勇明赵春雨杨辉
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输出电压为5V的GaAs激光光伏电池及其制作方法
本申请公开了一种输出电压为5V的GaAs激光光伏电池，所述的激光光伏电池包括隔离槽，该隔离槽将所述的光伏电池分隔成5个电池单元，包括1个第一电池单元，以及环绕设于所述第一电池单元四周的4个第二电池单元，电池单元之间串联连...
赵春雨董建荣于淑珍赵勇明李奎龙孙玉润曾徐路杨辉
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