- 一种平面LED结构
- 本发明公开了一种平面LED结构，包括金属基底和荧光罩，所述金属基底的上表面沿其周边固定有支撑层，所述荧光罩与所述支撑层相匹配并相互固定连接形成一空腔；在所述空腔内，含有一个以上LED裸芯片，每个所述LED裸芯片的底面与所...
- 叶志镇薛雅
- 文献传递
- p型ZnMgO薄膜器件相关性能研究和Ga掺杂ZnO薄膜表面处理
- 同为直接宽禁带半导体材料,ZnO比GaN有激子结合能是其两倍多Zn源在自然界中储量丰富、价格便宜、环境友好、抗辐射性能强等优势。在本征状态下ZnO呈n型电导,其p型电导转变的实现较困难,这也是限制ZnO器件应用的瓶颈。目...
- 薛雅
- 关键词：ZNO场效应晶体管欧姆接触氧等离子体处理
- 文献传递
- 相对低比接触电阻率的Na掺杂ZnMgO薄膜的欧姆接触
- 用电子束蒸发的方式在Na掺杂ZnMgO薄膜上蒸镀一层Ni/Pt多层膜形成欧姆接触,另蒸镀一层Ni/Pt薄膜形成的欧姆接触,分别对这两组样品在400、500、600、650、700℃,N2气氛中退火60s进行比较.Ni/P...
- 薛雅叶志镇金一政张银珠蒋杰
- p型Na掺杂ZnMgO薄膜的光电导性能
- 2013年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英衬底上制备p型Na掺杂ZnMgO薄膜,薄膜在氮气气氛中600℃退火60s,具有较好的光电性能。在室温下分别用波长254nm的紫外光和波长630nm的红色激光对样品进行了光电导性能测试。两种光照下,光电流均瞬间上升,且光响应度与外加偏压具有线性相关性。紫外光照下p型Na掺杂ZnMgO薄膜的光电流变化比红色激光照射下要显著。
- 薛雅叶志镇陈凌翔叶春丽
- 一种平面LED结构
- 本实用新型公开了一种平面LED结构，包括金属基底和荧光罩，所述金属基底的上表面沿其周边固定有支撑层，所述荧光罩与所述支撑层相匹配并相互固定连接形成一空腔；在所述空腔内，含有一个以上LED裸芯片，每个所述LED裸芯片的底面...
- 叶志镇薛雅
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