梁涛
- 作品数：12 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 一种适用于高压双极工艺的单晶深槽介质隔离技术研究
- 通过对P-N结隔离和SOI全介质隔离技术的对比研究，提出了一种适用于100V以内的单晶硅深槽介质隔离工艺，隔离电压100V时，相邻隔离岛之间的最大漏电流小于0.5nA，隔离击穿耐压高达150V，完全满足器件隔离要求。采用...
- 梁涛税国华王志宽李小刚
- 关键词：集成电路双极工艺
- 湿法腐蚀NiCrSi膜的方法
- 本发明涉及一种湿法腐蚀NiCrSi膜的方法。本发明方法由于采用了单独用水枪近距离对硅片双面冲洗的步骤，有效解决了现有常规腐蚀方法中其硅片表面硫酸铈难以去除的问题；由于湿法腐蚀NiCrSi后生成物硫酸铈不溶于水，不适合常规...
- 王大平梁涛周世远张正元曹阳
- 混合晶向硅衬底的制造方法
- 本发明涉及一种混合晶向硅衬底的制造方法。采用常规的硅硅晶片键合、光刻、腐蚀、常规外延、化学机械抛光和减薄工艺，就能制成混合晶向的硅衬底。只需使用一块掩膜版，无需淀积SiO<Sub>2</Sub>做为掩蔽层，不需做SPAC...
- 崔伟谭开州张静徐世六张正璠杨永晖陈光炳徐学良王斌陈俊梁涛
- 文献传递
- 一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法
- 本发明公开一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法，步骤包括：1)在衬底(1)上淀积第一介质层(2)；2)在第一介质层(2)上淀积第二介质层(3)；3)在第二介质层(3)上形成连接孔图形；4)刻蚀第二介质层(...
- 郭亿文梁涛冉明肖添梁康弟
- 提高台阶金属覆盖率的通孔刻蚀方法
- 本发明涉及一种提高台阶金属覆盖率的通孔刻蚀方法。本发明方法通过调整牺牲层，即光致抗蚀剂的曝光显影及高温坚膜条件，在光致抗蚀剂上形成通孔图案，再以图案化的牺牲层作为掩蔽层，通过调整离子体刻蚀工艺的工艺条件参数，得到开口具有...
- 王强梁涛王斌刘勇杨永晖
- 文献传递
- 评价IC芯片质量与可靠性的关键技术研究被引量：2
- 2011年
- 对CPK、SPC和PPM三项评价IC芯片质量和可靠性的关键技术进行了研究。使用这三项技术,实际评价了芯片制造工艺中的氧化工艺。实践证明,这三项技术在工艺生产能力评估、工艺过程控制和失效分析等方面具有广阔的应用前景,特别是在工艺过程中对特殊工艺的评估。
- 唐昭焕周铭徐岚刘勇阚玲梁涛税国华
- 关键词：半导体工艺可靠性统计过程控制
- 湿法腐蚀NiCrSi膜的方法
- 本发明涉及一种湿法腐蚀NiCrSi膜的方法。本发明方法由于采用了单独用水枪近距离对硅片双面冲洗的步骤，有效解决了现有常规腐蚀方法中其硅片表面硫酸铈难以去除的问题；由于湿法腐蚀NiCrSi后生成物硫酸铈不溶于水，不适合常规...
- 王大平梁涛周世远张正元曹阳
- 文献传递
- 表面掺杂浓度对低压TVS的影响研究
- 2023年
- 瞬态电压抑制器(TVS)是一种二极管形式的接口保护器件,其中低压TVS通常由低阻外延层和其表面的高浓度掺杂区构成。在芯片制造工艺过程中,圆片的表面掺杂浓度对器件特性有很大的影响,非正常的杂质扩散变化极易导致器件参数异常。文章就某低压TVS制造过程中出现的参数异常进行了排查,确认异常原因为表面掺杂浓度过高,并就表面掺杂浓度与器件参数的变化趋势进行了分析,并通过实验得到验证。
- 梁涛肖添刘勇刘勇胡镜影冉卫
- 关键词：瞬态电压抑制器掺杂
- TiW合金阻挡层对Cu/Cu^2+扩散的阻挡能力研究被引量：1
- 2009年
- 通过对Cu/Cu2+在TiW及硅中的扩散理论分析,从理论上预测了薄TiW合金阻挡层存在的潜在可靠性问题。对一个发射结结深为0.38μm的PNP管β值的研究表明,80 nm以上厚度的TiW合金层可以在AlCu/TiW/Si系统中作为Cu/Cu2+的扩散阻挡层。
- 唐昭焕梁涛刘勇谭开洲王飞
- 关键词：半导体工艺扩散阻挡层PNP晶体管
- 双层铝互连倒梯形通孔刻蚀技术研究被引量：2
- 2012年
- 针对双层布线中二铝在通孔处台阶覆盖率低的问题,通过优化光刻胶膜的厚度、硬烘温度,以及调整刻蚀气体流量、腔室压力及极板功率,开发出坡度为62.5°的倒梯形通孔;二铝在通孔处的台阶覆盖率大于90%。将该技术用于D/A转换器的研制,成品率得到明显提高。
- 唐昭焕王大平梁涛李荣强王斌任芳崔伟谭开洲
- 关键词：半导体工艺刻蚀双层布线
