孔海宽
- 作品数：76 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程电气工程更多>>
- 一种晶体生长炉用保温装置
- 本发明涉及一种晶体生长炉用保温装置，所述保温装置包括卷绕包覆在晶体生长炉外的位于内侧的至少一层第一石墨碳毡和位于外侧的至少一层第二墨碳毡，以及夹所述第一石墨毡和第二石墨毡之间的至少一层石墨纸，沿所述晶体生长炉的纵轴方向，...
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- Sr3NbGa3Si2O14压电晶体的生长与电弹常数表征
- 近年来,硅酸镓镧(La3Ga5SiO14、LGS)晶体由于其优异的压电性能而被广泛关注,该晶体具有较大的压电系数和三倍于石英晶体的机电耦合系数,同时具有零温度频率系数切型、高温无相变等优点。其晶体结构式可表达为A3BC3...
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- 高均匀性高掺镁铌酸锂晶体的生长与表征被引量：2
- 2010年
- 采用提拉法生长了高掺镁铌酸锂晶体,并采用高温极化法使晶体单畴化.为研究晶体的成分均匀性、光学均匀性及铁电畴均匀件,采用光谱、激光干涉、电子探针、显微观察等表征手段测定与观察了晶体的紫外吸收边、OH吸收峰、折射率梯度△n、晶体径向上的微观成分及晶体的铁电畴结构.结果表明:通过采用合适的生长组分和改进提拉法生长工艺获得了高质量的高掺镁铌酸锂晶体.晶体的紫外吸收边位于308 nm附近,OH吸收峰位于高抗光损伤阈值特征峰2828 nm处,光学均匀性达△n<5.11×10^(-5).在1200℃下通过外加电场极化获得了高均匀性且完全单畴的铁电畴结构.
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- 关键词：畴结构光学均匀性
- 一种碳化硅晶体生长用坩埚
- 本发明涉及一种碳化硅晶体生长用坩埚，包括：用于盛放SiC晶体生长用原料的原料腔；相对移动地嵌套于所述原料腔的上部内以形成晶体结晶区域的生长腔，所述生长腔具备生长室、和设于所述生长室的顶壁上的籽晶托。本发明的坩埚能够在生长...
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- Si_3N_4晶体的压电性能第一性原理研究被引量：1
- 2011年
- Si3N4是一种具有多种优越物化性能的多功能材料.采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算对Si3N4的高低温相(β、α)进行了对比研究.对于α相,计算得晶格常数a=0.7678nm、c=0.5566nm,弹性刚度系数c11=4.232×1011N/m2、c33=4.615×1011N/m2,压电应变常量d33=0.402pC/N;而对于β相,a=0.7536nm、c=0.2874nm,弹性刚度系数c11=4.241×1011N/m2、c33=5.599×1011N/m2,压电应变常量则几乎为零.分析表明Si3N4的α、β两相均为高硬高强材料,这与其结构由四面体组成的网络架构有关.而Si3N4高低温相的压电性能都很差,特别是β相的压电系数几乎为零,这与其结构的对称性有关,高温相结构的对称性更高,形变引起的离子位移响应抵消更多.
- 曾一明郑燕青忻隽孔海宽陈辉涂小牛施尔畏
- 关键词：SI3N4压电性能第一性原理晶体结构
- 对面正入光型高功率光导开关器件及其制作方法
- 本发明提供了一种对面正入光型高功率光导开关器件及其制作方法。该对面正入光型高功率光导开关器件包括：中空金属电极、金属环、增透钝化层、透明导电层、高电阻半导体、高反电极和实心金属电极，所述高电阻半导体作为衬底，在其上依次设...
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- 一种碳化硅晶体生长过程中调节和旋转坩埚的装置及方法
- 一种碳化硅晶体生长过程中调节和旋转坩埚的装置及方法，该装置包括：用以采用物理气相传输方法生长碳化硅单晶的坩埚，裹绕所述坩埚的保温层，位于所述保温层外侧的感应线圈，载置有所述坩埚的底座，通过石墨杆和第一连接杆与所述底座连接...
- 高攀忻隽孔海宽严成锋郑燕青刘学超施尔畏
- 一种铌酸镓镧单晶的制备方法
- 本发明涉及一种铌酸镓镧单晶的制备方法，包括：（1）按照La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体和Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</...
- 王升郑燕青殷利斌涂小牛熊开南孔海宽施尔畏
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- 5英寸硼酸氧钙钇非线性光学晶体制备方法
- 本发明涉及5英寸硼酸氧钙钇非线性光学晶体制备方法，包括：籽晶在高于晶体生长原料熔化温度5℃～20℃下接触到晶体生长原料熔体；以2～4mm/h的提拉速度、18～24rpm的旋转速度提拉籽晶，并升温，使提拉高度为3～6mm；...
- 涂小牛郑燕青王升熊开南孔海宽施尔畏
- 化学计量比铌酸锂晶体的理论与实验研究
- 铌酸锂晶体由于具有良好的压电、电光、声光及非线形光学特性,被广泛应用于制备各种功能器件领域。近期的研究表明,化学计量比铌酸锂晶体由于具有完整的晶格,其诸多性能较之同成分铌酸锂晶体有了很大程度的改进,例如:其180°畴的反...
- 郑燕青孔海宽陈辉路治平施尔畏
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