王剑锋
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>
- Zr含量对磁控溅射Mg-Zr-O薄膜微观结构和放电性能的影响
- 2011年
- 采用磁控溅射在玻璃基底上沉积Mg-Zr-O复合介质保护膜,研究Zr掺杂含量对薄膜微观结构和放电性能(着火电压,最小维持电压)的影响。结果发现,沉积的Mg-Zr-O薄膜晶粒细小,微观结构仍然保持MgO的面心立方NaCl型结构,所掺杂的Zr以Zr4+形式置换固溶于MgO晶格中。当掺杂Zr浓度为2.03at%时,薄膜具有最强的(200)择优取向和最小的表面粗糙度。适当Zr掺杂的Mg-Zr-O薄膜和纯MgO薄膜相比,其着火电压和最小维持电压分别降低了25和15V。
- 王剑锋吴汇焱宋忠孝马大衍徐可为刘纯亮
- 关键词：磁控溅射放电性能
- 磁控溅射氮分压对Nb-Si-N薄膜结构和性能的影响被引量：1
- 2006年
- 用反应磁控溅射法在不同的氮分压下沉积了Nb-Si-N薄膜。结果表明:Nb-Si-N膜的成分、结构和性能随氮分压的改变而不同。随氮分压的增加,Nb-Si-N膜的Nb/Si比和表面粗糙度减小;薄膜的电阻值和微硬度增加。Nb-Si-N膜的结构为纳米晶NbN与类似Si3N4非晶相组成的纳米复合结构,且随着氮分压的增加,Nb-Si-N膜的非晶倾向增强,晶粒尺寸减小。
- 王剑锋宋忠孝徐可为范多旺
- 关键词：磁控溅射氮分压
- 不同氮分压制备纳米复合Zr-Si-N薄膜的组织与性能研究(英文)被引量：1
- 2009年
- 利用射频反应磁控溅射设备在不同N2分压下制备了Zr-Si-N纳米复合薄膜。研究了N2分压对薄膜组织和性能的影响。结果表明:随着N2分压的增加,薄膜中Zr、Si元素含量比降低,且薄膜方电阻增加;Zr–Si–N薄膜的微观组织由纳米晶ZrN嵌入SiNx非晶基体构成,在低N2分压条件下,有少量Zr2Si形成。Zr2Si的形成与低N反应活性相关。在0.03PaN2分压条件下,Zr-Si-N薄膜硬度达到22.5GPa的最大值。高N2分压制备薄膜硬度较低可能与Si原子造成的晶格畸变相关。
- 王剑锋马大衍宋忠孝唐武徐可为
- 关键词：磁控溅射
