您的位置： 专家智库 > >

杜旻

作品数：5 被引量：8H指数：2
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
相关领域：电气工程化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇化学工程
  • 3篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇陶瓷
  • 4篇钛酸
  • 4篇钛酸钡
  • 3篇X8R
  • 3篇掺杂
  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇电性能
  • 2篇多层陶瓷
  • 2篇多层陶瓷电容
  • 2篇多层陶瓷电容...
  • 2篇陶瓷电容
  • 2篇陶瓷电容器
  • 2篇微观结构
  • 2篇稀土
  • 2篇稀土掺杂
  • 2篇介电
  • 2篇介电性
  • 2篇介电性能
  • 2篇居里

机构

  • 5篇电子科技大学

作者

  • 5篇杜旻
  • 4篇袁颖
  • 4篇张树人
  • 3篇李言荣
  • 3篇王升
  • 1篇杨林波

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇压电与声光
  • 1篇2007高技...
  • 1篇2007高技...

年份

  • 3篇2008
  • 2篇2007
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
BaTiO_3-Yb_2O_3-MgO系陶瓷居里点移动机理研究被引量：2
2008年
通过在BaTiO3陶瓷中单独添加Yb2O3或复合添加MgO／Yb2O3，研究了不同含量Yb^3＋掺杂对BaTiO3陶瓷居里点的影响。研究表明，在BaTiO3陶瓷中单独添加Yb^3＋使陶瓷介电常数减小，介电常数温度特性改善，但不会影响居里温度。而同时添加Mg^2＋与Yb^3＋时，BaTiO3陶瓷的温度特性能满足X8R（-55～150℃，电容变化率△C／C≤±15％，）标准，且系统的居里点随Yb^3＋含量增大而升高，掺入Yb^3＋每增加1％（摩尔比）使居里点提高2℃。研究认为，BaTiO3居里点向高温方向移动是由于在具有壳一芯结构BaTiO3陶瓷中，Yb^3＋取代Ti^4＋使晶粒壳晶胞体积增大，对晶粒芯产生张应力所致。
杜旻袁颖王升张树人
关键词：BATIO3X8R居里点
稀土掺杂BaTiO3陶瓷的微观结构与介电性能研究
系统研究了不同半径的稀土离子La3+、Ho3+、Yb3+分别掺杂的BaTiO3陶瓷的相组成、显微结构与介电性能的关系.实验表明,随着稀土离子La3+、Ho3+、Yb3+半径递减,稀土在BaTiO3中的固溶度降低,当稀土掺...
杜旻李言荣袁颖王升张树人
关键词：钛酸钡陶瓷稀土掺杂介电性能微观结构
文献传递
稀土掺杂BaTiO3陶瓷的微观结构与介电性能研究
系统研究了不同半径的稀土离子 La、Ho、Yb分别掺杂的 BaTiO陶瓷的相组成、显微结构与介电性能的关系。实验表明,随着稀土离子 La、Ho、Yb半径递减,稀土在 BaTiO中的固溶度降低,当稀土掺杂量超出固溶度时,B...
杜旻李言荣袁颖王升张树人
关键词：钛酸钡稀土介电性能微观结构X8R
文献传递
宽温高稳定性MLCC介质材料的制备及其改性机理研究
多层陶瓷电容器/(MLCC/)是电子信息技术的重要基础器件。由于电子系统的小型化、轻量化和集成化的发展要求,驱使MLCC向高频、宽温和大容量方向快速发展。MLCC的核心材料是由BaTiO/_3基铁电陶瓷构成的R/(△C/...
杜旻
关键词：多层陶瓷电容器MLCC铁电材料钛酸钡居里点
文献传递
BiNbO_4掺杂对BaTiO_3基陶瓷的改性效应研究被引量：5
2008年
对三元系统BaTiO3（BT）-Bi0.5Na0.5TiO3（BNT）-BiNb04的微结构和介电性能进行了研究。1％（摩尔分数）BNT掺杂使BT的居里温度由127℃大幅提高到140℃。BiNbO4掺杂显著降低了高温端的电容温度变化率，相反低温端的电容温度变化率升高。掺杂3％～4％（摩尔分数）BiNbO4的BT陶瓷满足X8R特性。烧结温度过高时，居里峰明显被抑制，居里温度向低温移动，而低温介电峰向高温移动。SEM结果表明，1％（摩尔分数）BiNbO4掺杂时，陶瓷晶粒细小且尺寸均匀。BiNbO4含量增大，陶瓷内部出现异常生长的第二相晶粒，且第二相比例随BiNbO4含量增加而增大。XRD分析表明，基质晶粒为BaTiO3,第二相包括Ba2TiO4、NaBiTi2O6及BaTiNb4O13。
杜旻袁颖张树人杨林波李言荣
关键词：钛酸钡X8R多层陶瓷电容器
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0