魏玺
- 作品数：7 被引量：35H指数：4
- 供职机构：西北工业大学材料学院超高温结构复合材料国防科技重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金长江学者和创新团队发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程航空宇航科学技术更多>>
- 碳化硅陶瓷基复合材料ICVI过程的计算机模拟研究
- 连续纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料(CMC-SiC)不但具有耐高温、低密度、高比模、高比强、抗氧化和抗烧蚀等SiC材料的优异性能，而且克服了陶瓷材料脆性大和可靠性差的致命弱点，在航空航天和国防领域有着巨大的应用潜力，受到发...
- 魏玺
- 关键词：碳化硅陶瓷复合材料计算机模拟有限单元法反应动力学
- 3D C/SiC复合材料氧化机理分析及氧化动力学模型
- C/SiC复合材料是一种有希望满足航空发动机热端部件1650℃工作温度需要的结构材料,深入了解其氧化机理并建立氧化动力学模型对C/SiC复合材料的设计和应用具有重要的指导意义.该文以3D C/SiC复合材料氧化行为的实验...
- 魏玺
- 关键词：C/SIC复合材料显微结构
- 文献传递
- C／SiC复合材料等温化学气相浸渗过程的数值模拟研究被引量：4
- 2006年
- 根据C／SiC复合材料的结构以及等温化学气相浸渗法的工艺特点,建立了ICVI过程中C纤维预制体结构变化的多尺度孔隙模型和C／SiC复合材料ICVI致密化过程的数学模型．利用该模型对ICVI法制备C／SiC复合材料进行了数值计算和分析．模拟结果与实验结果呈现出相同的规律并且两者之间误差较小,表明本文所建立的模型可以很好地描述C／SiC复合材料的ICVI致密化过程．利用该模型计算出C／SiC复合材料孔隙率的分布情况以及总体孔隙率在浸渗过程中的演化规律,对ICVI工艺的优化具有一定的指导意义．
- 魏玺成来飞张立同徐永东
- 关键词：C/SIC复合材料数值模拟
- ICVI法制备Si_3N_(4P)/Si_3N_4复合材料致密化行为数值模拟被引量：1
- 2006年
- 根据Si3N4颗粒增强体的结构特点及等温化学气相法(ICVI)的工艺特点,对Si3N4颗粒增强Si3N4复合材料的致密化过程进行了数值模拟。用球形孔隙模型表征Si3N4颗粒增强体的结构特征,用传质连续方程表征先驱体在预制体中的浓度分布。为了检验模型的准确性和适用性,进行了相应的实验验证。模拟结果与实验结果具有相似的致密化规律,预测的渗透时间和孔隙率与实验结果均十分接近,表明本文中建立的数学模型可以较好地表征Si3N4P/Si3N4复合材料的ICVI过程。
- 胡卓沛成来飞魏玺赵春年刘谊
- 关键词：数值模拟
- ICVI法制备C/SiC复合材料构件的数值模拟被引量：2
- 2006年
- 根据C/SiC复合材料的结构特点及等温化学气相浸渗法的工艺特点,建立了C/SiC复合材料ICVI致密化过程的数学模型,并将该模型应用于C/SiC复合材料构件制备过程的数值模拟中。利用有限单元法,对航空发动机用C/SiC复合材料小喉衬的ICVI致密化行为进行了数值计算和分析。为了验证计算结果,设计并进行了相应的对比实验,对致密化后的喉衬构件进行了密度测量和CT断层扫描无损检测。实验结果与模拟结果呈现出相同的变化规律并且两者之间偏差较小,表明本文作者所建立的模型可以很好地描述C/SiC复合材料的ICVI过程。利用该数学模型,计算了ICVI过程中喉衬构件的密度分布及其演变规律,为ICVI法制备C/SiC复合材料构件的进一步研究打下基础,对ICVI工艺的优化具有一定的指导意义。
- 魏玺成来飞张立同徐永东
- 关键词：C/SIC复合材料ICVI数值模拟喉衬
- 基于因素分析的C/SiC复合材料氧化动力学模拟被引量：6
- 2004年
- 用因素分析法对C/SiC复合材料在氧气气氛下的氧化相对质量变化曲线进行了分析,确定了在不同温度区间内影响其相对质量变化的控制因素:在温度θ<700℃时复合材料的氧化速率由碳氧反应控制,属线性机制;随温度的升高,氧气通过涂层微裂纹的扩散将控制复合材料的氧化速率,属抛物线性机制;在温度θ>1000℃时,微裂纹逐步封闭,氧气通过SiO2生成层的扩散以及涂层表面的氧化将分别成为影响复合材料氧化速率的控制因素。在此基础上,建立了描述复合材料氧化过程的动力学模型。
- 相华成来飞魏玺栾新刚
- SiC-C/SiC复合材料的高温低周应力腐蚀机理与寿命预测被引量：5
- 2004年
- 研究了SiC涂层连续碳纤维增韧的SiC基复合材料(SiC-C/SiC)在低频拉-拉循环应力下,干氧环境、水蒸气环境、湿氧环境以及含硫酸钠蒸气环境中,1000℃、1200℃和1300℃高温下的应力氧化与应力腐蚀情况。通过比较复合材料在相同循环应力条件下、不同温度和环境中的寿命,揭示了复合材料在高温、循环应力状态下的腐蚀机理。研究发现,在循环应力状态下,氧气是导致SiC-C/SiC复合材料寿命下降的主要因素。1000℃
- 栾新刚成来飞张立同魏玺
- 关键词：应力腐蚀
