您的位置： 专家智库 > >

施尓畏

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮掺杂
  • 1篇碳化硅
  • 1篇面扫描
  • 1篇拉曼
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 1篇刘学超
  • 1篇忻隽
  • 1篇杨建华
  • 1篇施尓畏
  • 1篇郭啸

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
拉曼面扫描表征氮掺杂6H-SiC晶体多型分布被引量：1
2012年
采用物理气相传输法(Physical Vapor Transport,PVT)沿[0001]方向生长了一个直径为2英寸的氮掺杂6H-SiC晶体.采用拉曼面扫描方法对晶体中多型的分布进行了细致表征,研究了SiC晶体生长过程中多型的产生和演化.在6H-SiC晶体中观察到了15R-SiC和4H-SiC两种多型.在拉曼面扫描得到的晶体多型分布图上观察到了两类次多型结构区域,一类是继承其生长界面上对应的次多型结构形成的次多型结构区;另一类是由温度、压力等生长条件波动导致在6H-SiC主多型中出现的15R-SiC多型结构区.第一类次多型结构区中掺入的氮元素较多,载流子浓度较高,并且随着晶体生长不断扩大;第二类次多型结构区对晶体结晶质量的影响较小,且提高生长温度可以抑制15R-SiC多型结构.
郭啸刘学超忻隽杨建华施尓畏
关键词：拉曼碳化硅面扫描
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0