刘少鹏
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：昆明贵金属研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省应用基础研究基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
- CVD技术制备Ta/W层状复合材料被引量：1
- 2017年
- 运用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)技术制备了W体积分数分别10%,13%和18%的Ta/W两层层状复合材料,采用金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和室温拉伸实验对复合材料的性能进行分析。结果表明:运用CVD技术可以制备W体积分数不同,且密度优于理论密度99.4%的层状复合材料;复合材料中Ta,W层的晶粒均为柱状晶粒,离界面越近,晶粒越细;沉积态复合材料的力学性能优于纯CVD Ta和CVD W;1600℃×2 h的热处理后,复合材料的界面扩散层宽度显著增大,力学性能高于沉积态的力学性能,最高抗拉强度可达660 MPa。
- 祁小红郑旭蔡宏中刘少鹏胡昌义魏燕
- HfO_2薄膜或涂层的制备方法及相应特点被引量：2
- 2016年
- HfO_2因具有大的介电常数、宽的带隙、低的漏电流、与Si的导带偏移较大且与Si的晶格匹配良好,在半导体工业领域获得了广泛的应用;同时,Hf O2有着高的熔点,低的导热系数及蒸发率,优良的热相容、热障及热扩散屏障等性能,是目前高温抗氧化涂层材料最具希望的候选材料。本文简述了HfO_2薄膜几种常见的制备方法及相应特点。
- 刘少鹏蔡宏中魏燕祁小红胡昌义
- 关键词：HFO2晶体结构
