黄金鑫
- 作品数：8 被引量：45H指数：5
- 供职机构：南通大学理学院江苏省专用集成电路设计重点实验室更多>>
- 发文基金：江苏省高校自然科学研究项目江苏省普通高校研究生科研创新计划项目国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅通孔技术的发展与挑战被引量：9
- 2012年
- 3D堆叠技术近年来发展迅速,采用硅通孔技术(TSV)是3D堆叠封装的主要趋势。介绍了3D堆叠集成电路、硅通孔互连技术的研究现状、TSV模型;同时阐述了TSV的关键技术与材料,比如工艺流程、通孔制作、通孔填充材料、键合技术等;最后分析了其可靠性以及面临的挑战。TSV技术已经成为微电子领域的热点,也是未来发展的必然趋势,运用它将会使电子产品获得高性能、低成本、低功耗和多功能性。
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- 关键词：三维封装高性能
- 精简热模型在集成电路封装中的应用研究被引量：3
- 2013年
- 探讨了为一款FBGA封装产品建立DELPHI型热阻网络的新方法。首先利用恒温法为芯片封装建立星型网络,在此基础之上求解支路耦合热阻值,构成DELPHI型热阻网络。经过仿真验证显示,所建立的两种DELPHI型热阻网络模型与详细热模型(DTM)的结温误差均在10%以内,从而具备较好的边界条件独立性。
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- 关键词：温度仿真
- FBGA封装阵列制造工艺过程的翘曲研究被引量：4
- 2014年
- 采用有限元分析法,就一款1-block形式的FBGA封装阵列产品在注塑成型过程中所经历的带状翘曲现象进了预测分析,并用测试结果验证了有限元分析的有效性。在此基础上,从理论方面分析了材料性能对封装翘曲的影响,并对塑封料CTE参数进行了优化分析和仿真验证。最后,分析了芯片的排列形式对封装翘曲的影响。
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- 关键词：有限元方法翘曲变形热膨胀组装工艺温度变化
- 功率MOSFET管的热疲劳寿命预测被引量：3
- 2015年
- 通过ANSYS有限元分析软件对TO-263器件功率MOSFET管进行电-热-机械耦合分析,并对其热疲劳寿命作出预测。首先进行了瞬态热分析,得出了芯片的热通量变化图,在此基础上进行模拟并通过Coffin-Manson定律预测功率MOSFET管的热疲劳寿命。结果表明,TO-263器件功率MOSFET管的热疲劳失效循环总数为6 113。
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- 关键词：MOSFET仿真可靠性
- PBGA集成电路封装导电胶的疲劳寿命研究被引量：5
- 2013年
- 采用统一粘塑性Anand本构方程描述了一款PBGA(塑料焊球阵列封装)导电胶的粘塑性力学行为,利用有限元分析软件ANSYS建立了PBGA的有限元模型,给出了导电胶的应力应变分布以及应变能密度分布,并采用Coffin-Manson方程预测方法预测了导电胶的疲劳寿命。通过对疲劳强度系数和S-N曲线等的分析,为采用合理的导电胶参数提供了理论依据。
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- 关键词：集成电路封装导电胶可靠性有限元分析
- 倒装芯片封装技术的发展被引量：10
- 2014年
- 倒装芯片(FC)技术已经广泛应用于集成电路封装工艺中。介绍了FC技术的发展,讨论了FC的关键技术,如凸点下金属(UBM)、焊料凸点(Solder bump)、下填料(Underfill)、基板技术(Substrate),阐述了FC中的新技术,如铜柱(Cu pillar)、可控塌陷芯片连接新工艺(C4NP),分析了FC的可靠性,最后展望了FC与硅通孔(TSV)技术的结合趋势。
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- 关键词：集成电路倒装芯片无铅焊料
- 圆片级封装的研究进展被引量：7
- 2012年
- 圆片级封装(wafer level package,WLP)因其在形状因数、电性能、低成本等方面的优势,近年来发展迅速。概述了WLP技术近几年的主要发展。首先回顾标准WLP结构,并从焊球结构等方面对其进行了可靠性分析。其次介绍了扩散式WLP工艺以及它的典型应用,并说明了扩散式WLP存在的一些可靠性问题。最后总结了WLP技术结合硅通孔技术(TSV)在三维叠层封装中的应用。
- 刘培生仝良玉黄金鑫沈海军施建根朱海清
- 关键词：圆片级封装
- 晶圆级封装的优化散热分析被引量：6
- 2015年
- 通过有限元分析软件ANSYS,对一款晶圆级封装的产品进行有限元分析仿真,讨论了空气对流系数、环境温度、基板厚度、焊球间距等因素对芯片热阻的影响。结果表明:考虑成本、散热等综合因素,选择空气对流系数为25×10–6W/(mm·℃)基板厚度为0.10 mm、焊球间距为0.5 mm为最优参数,可满足实际生产需要。
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- 关键词：晶圆级封装有限元分析热仿真热阻基板
