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陈燕文

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：重庆大学光电工程学院更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电特性
  • 1篇多量子阱
  • 1篇量子
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇DIODE
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇LED
  • 1篇LIGHT-...

机构

  • 1篇重庆大学

作者

  • 1篇文静
  • 1篇李平
  • 1篇文玉梅
  • 1篇陈燕文
  • 1篇王三山

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
InGaN/GaN多量子阱LED的电特性研究被引量：1
2015年
针对InGaN/GaN多量子阱LED,分析了占据能态高于势垒的载流子和低于势垒的载流子参与的电流输运机制,从而推导出对应能态电流输运机制下的电流-电压关系,以及理想因子与温度的变化规律。实验结果证实,在低注入强度下,由材料缺陷引入的深能级辅助隧穿输运机制占主导,电流电压特性符合相应的推导结果,随着注入强度的增大,参与扩散-复合输运机制的载流子逐渐增加,温度对输运机制的影响逐渐增大。
陈燕文文静文玉梅李平王三山
关键词：发光二极管电特性LIGHT-EMITTINGDIODE
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共1页<1>
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