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陈昌东

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中山大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇晶体管
  • 4篇迁移
  • 4篇迁移率
  • 3篇氧化物薄膜
  • 3篇半导体
  • 3篇薄膜晶体
  • 3篇薄膜晶体管
  • 2篇导体
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子迁移率
  • 2篇氢化
  • 2篇显示器
  • 2篇开关比
  • 2篇沟道
  • 2篇背板
  • 2篇本征
  • 2篇本征半导体
  • 2篇掺杂
  • 1篇地电
  • 1篇氧化物

机构

  • 6篇中山大学

作者

  • 6篇刘川
  • 6篇陈昌东

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2019
  • 2篇2017
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
氧化物薄膜及制备方法、晶体管及制备方法、显示背板
一种氧化物薄膜及制备方法、晶体管及制备方法、显示背板，所述氧化物薄膜的成分为包括Zn、In和Sn中的一种或多种，以及H的氧化物，通过对氧化物薄膜进行氢化，能够有效提高氧化物薄膜的载流子迁移率；进而，将所述氧化物薄膜作为晶...
刘川陈昌东杨柏儒李恭檀陶紫滢
氧化物薄膜晶体管及制备方法、显示装置及照相装置
一种氧化物薄膜晶体管及制备方法、显示装置及照相装置，所述氧化物薄膜晶体管包括沟道层，其中所述沟道层包括至少两层氧化物薄膜沟道层；而且，所述氧化物薄膜沟道层均掺杂有N、P和As元素中的一种或多种。通过设置至少两层掺杂有N、...
刘川李恭檀杨柏儒陈昌东陶紫滢
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氧化物薄膜及制备方法、晶体管及制备方法、显示背板
一种氧化物薄膜及制备方法、晶体管及制备方法、显示背板，所述氧化物薄膜的成分为包括Zn、In和Sn中的一种或多种，以及H的氧化物，通过对氧化物薄膜进行氢化，能够有效提高氧化物薄膜的载流子迁移率；进而，将所述氧化物薄膜作为晶...
刘川陈昌东杨柏儒李恭檀陶紫滢
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薄膜晶体管及其制备方法、显示器设备
本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器设备，薄膜晶体管的制备方法包括在基板上形成栅极、栅极绝缘层以及沟道层；在沟道层上形成源极和漏极，源极和漏极间隔设置形成间隙，源极和漏极为具有吸氢性质的金属电极；使用含氢原子的反...
刘川陈昌东郑集文李恭檀李敏敏
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一种场效应晶体管的迁移率测量方法
本发明涉及半导体测量技术领域，更具体地，涉及一种场效应晶体管的迁移率测量方法，在待测场效应晶体管的漏极、栅极分别加上电压，源极接地，进行输出特性曲线和转移特性曲线测量；在待测场效应晶体管的沟道上加上两根探针进行对地电势的...
刘川陈子豪陈昌东胡素娟
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薄膜晶体管及其制备方法、显示器设备
本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器设备，薄膜晶体管的制备方法包括在基板上形成栅极、栅极绝缘层以及沟道层；在沟道层上形成源极和漏极，源极和漏极间隔设置形成间隙，源极和漏极为具有吸氢性质的金属电极；使用含氢原子的反...
刘川陈昌东郑集文李恭檀李敏敏
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